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1. (WO2008117788) 発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/117788    国際出願番号:    PCT/JP2008/055514
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 25.03.2008
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; Gokiso-cho, Syowa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4668555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMIYA, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOSAKA, Kei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYOSHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIBATA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUMIYA, Shigeaki; (JP).
KOSAKA, Kei; (JP).
MIYOSHI, Makoto; (JP).
SHIBATA, Tomohiko; (JP).
TANAKA, Mitsuhiro; (JP).
EGAWA, Takashi; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70 Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2007-078722 26.03.2007 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
要約: front page image
(EN)Provided is a light emitting element by which excellent light emission having a desired light emitting wavelength in the ultraviolet region can be obtained. An intermediate layer (5) formed of a group III nitride composed of Alw1Ga1-w1N (0.8≤w1≤1.0) is arranged between a light emitting layer (4) formed of a group III nitride composed of AlxGa1-xN (0.1≤x≤0.9) and a clad layer (6a), i.e., a P-type conductive section formed by doping a group III nitride composed of Alz1Ga1-z1N (x
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent par l'intermédiaire duquel une excellente émission de lumière ayant une longueur d'onde d'émission de lumière souhaitée dans la zone ultraviolette peut être obtenue. Une couche intermédiaire (5) formée d'un nitrure du groupe III constitué de Alw1Ga1-w1N (0,8 ≤ w1 ≤ 1) est agencée entre une couche d'émission de lumière (4) formée d'un nitrure du groupe III constitué de AlxGa1-xN (0,1 ≤ x ≤ 0,9) et d'une couche de plaquage (6a), c'est-à-dire une section conductrice de type B formée en dopant un nitrure du groupe III constitué de Alz1Ga1-z1N (x ≤ z1 ≤ 1) avec du Mg. Ainsi, une émission de lumière inutile, qui est générée dans une bande de 300 nm lorsque des atomes de Mg sont diffusés dans la couche d'émission de lumière (4) tandis que l'élément émetteur de lumière (10) est formé, est supprimée, et l'élément émetteur de lumière ayant une sortie de lumière supérieure par comparaison à la sortie de dispositifs habituels est fourni.
(JA) 所望する発光波長での紫外域の発光が良好に得られる発光素子を提供する。AlxGa1-xN(0.1≦x≦0.9)なるIII族窒化物で形成した発光層4とAlz1Ga1-z1N(x<z1≦1.0)なるIII族窒化物にMgをドープして形成したP型の導電部であるクラッド層6aとの間に、Alw1Ga1-w1N(0.8≦w1≦1.0)なるIII族窒化物にて形成された中間層5を介在させる。これにより、係る不要な発光は、Mg原子が発光素子10の作成過程で発光層4に拡散した場合に生じる、300nm帯での不要な発光が抑制され、従来よりも高い光出力が得られる発光素子が実現される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)