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1. (WO2008117781) CVD成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117781 国際出願番号: PCT/JP2008/055450
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 24.03.2008
IPC:
C23C 16/458 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
458
反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
山▲崎▼ 英亮 YAMASAKI, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
軍司 勲男 GUNJI, Isao [JP/JP]; JP (UsOnly)
黒岩 大祐 KUROIWA, Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
山▲崎▼ 英亮 YAMASAKI, Hideaki; JP
軍司 勲男 GUNJI, Isao; JP
黒岩 大祐 KUROIWA, Daisuke; JP
代理人:
高山 宏志 TAKAYAMA, Hiroshi; 〒1020093 東京都千代田区平河町一丁目7番20号 平河町辻田ビル2階 Tokyo Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku Tokyo 1020093, JP
優先権情報:
2007-08387028.03.2007JP
発明の名称: (EN) CVD FILM-FORMING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PRODUCTION DE FILM PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD)
(JA) CVD成膜装置
要約:
(EN) Disclosed is a film-forming apparatus wherein a predetermined film is formed on a wafer (W) by CVD by reacting a film-forming gas on the surface of the wafer, while heating the wafer (W) placed on a stage (22) with a heating mechanism. This film-forming apparatus also comprises a cover member (24) which is so arranged as to cover the outer portion of the wafer (W) on the stage (22) and has a base member (24a) and a low emissivity film (24b) arranged on at least the rear surface of the base member.
(FR) L'invention concerne un appareil de production de film dans lequel un film prédéterminé est formé sur une plaquette (W) par CVD en faisant réagir un gaz de production de film sur la surface de la plaquette, tout en chauffant la plaquette (W) placée sur un étage (22) à l'aide d'un mécanisme de chauffage. Cet appareil de production de film comporte également un élément de recouvrement (24) qui est agencé de manière à recouvrir la partie extérieure de la plaquette (W) sur l'étage (22), et possède un élément de base (24a) et un film à faible émissivité (24b) agencé sur au moins la surface arrière de l'élément de base.
(JA)  載置台22に載置されたウエハWを加熱機構で加熱しつつ、ウエハの表面で成膜用のガスを反応させてCVDによりウエハW上に所定の膜を成膜する成膜装置において、載置台22におけるウエハWの外側部分を覆うように、母材24aと母材の少なくとも裏面側に設けられた低輻射率膜24bとを有するカバー部材24をさらに有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100014643JPWO2008117781US20100064972CN101646804JP5238688