国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2008117742) 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117742 国際出願番号: PCT/JP2008/055237
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 21.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
纐纈 明伯 KOUKITSU, Akinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
熊谷 義直 KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; JP (UsOnly)
藤井 哲雄 FUJII, Tetsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
纐纈 明伯 KOUKITSU, Akinori; JP
熊谷 義直 KUMAGAI, Yoshinao; JP
藤井 哲雄 FUJII, Tetsuo; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2007-07993826.03.2007JP
発明の名称: (EN) ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC
(JA) 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置
要約:
(EN) Provided are a zinc oxide semiconductor manufacturing method for easily manufacturing a high quality zinc oxide semiconductor, and an apparatus for manufacturing such semiconductor. A zinc oxide semiconductor manufacturing apparatus (1) is provided with a chlorine gas supplying means (2), a carrier gas supplying means (3), a material zone (4), a heating means (5), a water supplying means (6), a carrier gas supplying means (7), a growing zone (8), a heating means (9), a substrate holding means (10), and a hydrogen supplying means (11). In the material zone (4), chlorine gas supplied from the chlorine gas supplying means (2) and zinc are reacted, and zinc chloride gas is generated. In the growing zone (8), the zinc chloride supplied from the material zone (4) and water supplied from the water supplying means (6) as oxygen material are reacted, and the zinc oxide semiconductor is grown on the growing substrate (16) held by the substrate holding means (10).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un semi-conducteur d'oxyde de zinc pour fabriquer aisément un semi-conducteur d'oxyde de zinc de qualité élevée, et sur un appareil pour fabriquer un tel semi-conducteur. Un appareil (1) de fabrication de semi-conducteur d'oxyde de zinc comporte des moyens (2) d'alimentation en chlore gazeux, des moyens (3) d'alimentation en gaz porteur, une zone de matériau (4), des moyens de chauffage (5), des moyens d'alimentation en eau (6), des moyens (7) d'alimentation en gaz porteur, une zone de croissance (8), des moyens de chauffage (9), des moyens (10) de maintien de substrat et des moyens (11) d'alimentation en hydrogène. Dans la zone de matériau (4), du chlore gazeux fourni à partir des moyens (2) d'alimentation en chlore gazeux et du zinc sont amenés à réagir, et du chlorure de zinc gazeux est généré. Dans la zone de croissance (8), le chlorure de zinc fourni à partir de la zone de matériau (4) et l'eau fournie à partir des moyens (6) d'alimentation en eau sous forme de matériau oxydant sont amenés à réagir, et le semi-conducteur d'oxyde de zinc est amené à croître sur le substrat de croissance (16) maintenu par les moyens (10) de maintien de substrat.
(JA) 高品質の酸化亜鉛系半導体を容易に製造できる酸化亜鉛系半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。る酸化亜鉛半導体の製造装置1は、塩素ガス供給手段2と、キャリアガス供給手段3と、原料ゾーン4と、加熱手段5と、水供給手段6と、キャリアガス供給手段7と、成長ゾーン8と、加熱手段9と、基板保持手段10と、水素供給手段11とを備えている。原料ゾーン4では、塩素ガス供給手段2から供給される塩素ガスと亜鉛とを反応させて塩化亜鉛ガスを生成する。成長ゾーン8では、原料ゾーン4から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段6から供給される水とを反応させて、基板保持手段10に保持された成長基板16上に酸化亜鉛半導体を成長させる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)