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1. (WO2008117703) 複合光導波路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117703 国際出願番号: PCT/JP2008/054984
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 18.03.2008
IPC:
G02B 6/122 (2006.01) ,G02B 6/30 (2006.01)
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
6
ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10
光導波路型のもの
12
集積回路型のもの
122
基本的光素子,例.ライトガイドパス
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
6
ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
24
ライトガイドのための結合
26
光学的結合手段
30
ファイバと薄膜装置との間で使用されるもの
出願人:
永田 清一 NAGATA, Seiichi [JP/JP]; JP
村田 純一 MURATA, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
永田 清一 NAGATA, Seiichi; JP
村田 純一 MURATA, Junichi; JP
代理人:
板谷 康夫 ITAYA, Yasuo; 〒5420081 大阪府大阪市中央区南船場3-9-10 徳島ビル7階 Osaka Tokushima Bldg. 7F. 3-9-10, Minamisemba, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5420081, JP
優先権情報:
2007-08214627.03.2007JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE OPTICAL WAVEGUIDE
(FR) GUIDE D'ONDE OPTIQUE COMPOSITE
(JA) 複合光導波路
要約:
(EN) In a recessed section region on the side of one main surface of a silicon substrate (100) in a composite optical waveguide, a first region (141) and a second region (142), each of which contains silica as a main component, are arranged. A silicon thin line (300) composed of semiconductor is arranged to extend in proximity to the first region (141). In the recessed section region, the first region (141) relatively exists inside, and the second region (142) relatively exists outside. The refractive index of the first region (141) is higher than that of the second region (142), and the refractive index of the silicon thin line (300) is higher than that of the first region (141).
(FR) L'invention concerne une zone de section évidée sur le côté d'une première surface principale d'un substrat de silicium (100) dans un guide d'onde optique composite, dans laquelle une première zone (141) et une seconde zone (142), chacune contenant de la silice comme composant principal, sont agencées. Une ligne de silicium mince (300) constituée d'un semi-conducteur est agencée pour s'étendre à proximité de la première zone (141). Dans la zone de section évidée, la première zone (141) existe relativement à l'intérieur et la seconde zone (142) existe relativement à l'extérieur. L'indice de réfraction de la première zone (141) est supérieur àcelui de la seconde zone (142), et l'indice de réfraction de la ligne de silicium mince (300) est supérieur à celui de la première zone (141).
(JA) この複合光導波路は、シリコン基板100の一方の主面の側の凹部領域内に各々シリカを主成分とする第1領域141および第2領域142を有する。第1領域141に近接して延在する半導体からなるシリコン細線300が設けられている。凹部領域において相対的に第1領域141は内側に存在するとともに第2領域142は外側に存在する。第1領域141の屈折率は第2領域142の屈折率より大きく、シリコン細線300の屈折率は第1領域141の屈折率より大きい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2008117703JP5362551