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1. (WO2008117702) 金属パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117702 国際出願番号: PCT/JP2008/054964
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 18.03.2008
予備審査請求日: 14.07.2008
IPC:
H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
国立大学法人九州工業大学 KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 〒8048550 福岡県北九州市戸畑区仙水町1番1号 Fukuoka 1-1, Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8048550, JP (AllExceptUS)
ハリマ化成株式会社 HARIMA CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 〒6750019 兵庫県加古川市野口町水足671番地の4 Hyogo 671-4, Mizuashi, Noguchi-cho, Kakogawa-shi, Hyogo 6750019, JP (AllExceptUS)
和泉 亮 IZUMI, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
石原 政道 ISHIHARA, Masamichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
高田 春樹 TAKADA, Haruki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
和泉 亮 IZUMI, Akira; JP
石原 政道 ISHIHARA, Masamichi; JP
高田 春樹 TAKADA, Haruki; JP
代理人:
大川 譲 OHKAWA, Yuzuru; 〒1160013 東京都荒川区西日暮里5丁目11番8号 三共セントラルプラザビル5階 開明国際特許事務所 Tokyo Kaimei Patent Office Sankyo Central Plaza Building 5F 11-8, Nishi-Nippori 5-chome Arakawa-ku, Tokyo 1160013, JP
優先権情報:
2007-08357028.03.2007JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR METAL PATTERNED WIRING FORMATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER UN CÂBLAGE MÉTALLIQUE POURVU D'UN MOTIF ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT EN UTILISANT LE PROCÉDÉ
(JA) 金属パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置
要約:
(EN) This invention provides a metal wiring having high electroconductivity which can be produced by drying a metal paste at a low temperature in a short time without cracking in the formation of a direct drawing-type patterned wiring using a metal paste. In this case, a patterned wiring using a metal paste comprising metal particles contained in an organic solvent is formed by a direct drawing method. The wiring is lyophilized in which the organic solvent is sublimated. The lyophilized wiring is then treated with atomic hydrogen to reduce a metal surface oxide film.
(FR) Cette invention propose un câblage métallique ayant une conductivité élevée qui peut être produit en séchant une pâte métallique à une température basse en un court laps de temps sans fissuration, pour former un câblage pourvu d'un motif du type à étirage direct en utilisant une pâte métallique. Dans ce cas, un câblage pourvu d'un motif utilisant une pâte métallique comportant des particules de métal contenues dans un solvant organique est formé par un procédé d'étirage direct. Le câblage est lyophilisé, le solvant organique étant sublimé. Le câblage lyophilisé est ensuite traité avec de l'hydrogène atomique pour réduire un film d'oxyde de surface métallique.
(JA)  本発明は、金属ペーストを用いた直描方式パターニング配線を形成するに際して、低温かつ短時間でひび割れなく金属ペーストを乾燥させ、導電性の高い金属配線を提供する。有機溶媒中に金属粒子が含有されている金属ペーストを用いたパターニング配線を直描方式により形成し、該配線に対して、有機溶媒を昇華させる凍結乾燥処理を行い、そして、凍結乾燥処理配線を原子状水素により金属表面酸化膜の還元をする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)