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1. (WO2008117679) 抵抗変化素子およびその製造方法、並びに電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117679 国際出願番号: PCT/JP2008/054739
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 14.03.2008
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
多田 あゆ香 TADA, Ayuka [JP/JP]; JP (UsOnly)
伊藤 仁彦 ITO, Kimihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
多田 あゆ香 TADA, Ayuka; JP
伊藤 仁彦 ITO, Kimihiko; JP
代理人:
宮崎 昭夫 MIYAZAKI, Teruo; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目9番20号 第16興和ビル8階 Tokyo 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2007-08456928.03.2007JP
発明の名称: (EN) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE,SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 抵抗変化素子およびその製造方法、並びに電子デバイス
要約:
(EN) A variable resistance element is provided with a first electrically conductive unit, an insulating film pattern formed on the first electrically conductive unit, a step formed by the insulating film pattern against the upper surface of the first electrically conductive unit, a variable resistance film that is provided on a side surface of the step and that is contacted with the upper surface of the first electrically conductive unit at the lower end side of the side surface of the step, and a second electrically conductive unit contacted with the variable resistance film on the upper end side of the side surface of the step.
(FR) L'invention propose un élément à résistance variable qui est pourvu d'une première unité électriquement conductrice, d'un motif de film isolant formé sur la première unité électriquement conductrice, d'une surépaisseur formée par le motif de film isolant contre la surface supérieure de la première unité électriquement conductrice, d'un film à résistance variable qui est agencé sur une surface latérale de la surépaisseur et qui est en contact avec la surface supérieure de la première unité électriquement conductrice au niveau du côté d'extrémité inférieure de la surface latérale de la surépaisseur, et une seconde unité électriquement conductrice en contact avec le film à résistance variable sur le côté d'extrémité supérieure de la surface latérale de la surépaisseur.
(JA)  第1の導電部と、第1の導電部上に設けられた絶縁膜パターンと、この絶縁膜パターンにより形成された第1の導電部上面に対する段差と、この段差の側面に設けられ、その段差側面の下端側で第1の導電部上面に接する抵抗変化膜と、前記段差の側面の上端側で前記抵抗変化膜に接する第2の導電部とを有する抵抗変化素子。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2008117679US20100038619JP5387403