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1. (WO2008117647) 有機電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/117647    国際出願番号:    PCT/JP2008/054070
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 06.03.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Yoshiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEDA, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Yoshiko; (JP).
UEDA, Masato; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6 Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
優先権情報:
2007-077516 23.03.2007 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE
(JA) 有機電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Provided is an organic field effect transistor having a gate electrode (2), a gate insulting layer (3), a semiconductor layer (4), a source electrode (7) and a drain electrode (8). The source electrode (7) and the drain electrode (8) are composed of conductive layers (6, 6') and compound layers (5, 5') made of an acceptor compound, respectively. Each of the compound layers (5, 5') is arranged by being brought into contact with the semiconductor layer (4). The semiconductor layer (4) contains a polymeric compound having an ionization potential of 5.0eV or more.
(FR)L'invention propose un transistor à effet de champ organique ayant une électrode de grille (2), une couche isolante de grille (3), une couche semi-conductrice (4), une électrode de source (7) et une électrode déversoir (8). L'électrode de source (7) et l'électrode déversoir(8) sont composées de couches conductrices (6, 6') et de couches de composé (5, 5') faites d'un composé accepteur, respectivement. Chacune des couches de composé (5, 5') est disposée en étant amenée en contact avec la couche semi-conductrice (4). La couche semi-conductrice (4) contient un composé polymère ayant un potentiel d'ionisation d'au moins 5,0 eV.
(JA) ゲート電極2、ゲート絶縁層3、半導体層4、ソース電極7及びドレイン電極8を備える有機電界効果トランジスタであって、ソース電極7及びドレイン電極8はそれぞれ、導電層6及び6’、並びにアクセプター化合物からなる化合物層5及び5’から構成されており、化合物層5及び5’はそれぞれ、半導体層4に接して配置され、半導体層4は、イオン化ポテンシャルが5.0eV以上の高分子化合物を含有する有機電界効果トランジスタ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)