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1. (WO2008117579) 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117579 国際出願番号: PCT/JP2008/052394
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 14.02.2008
予備審査請求日: 24.07.2008
IPC:
B32B 9/00 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
国立大学法人 富山大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION UNIVERSITY OF TOYAMA [JP/JP]; 〒9308555 富山県富山市五福3190 Toyama 3190, Gofuku, Toyama-shi, Toyama 9308555, JP (AllExceptUS)
岡田 裕之 OKADA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
中 茂樹 NAKA, Shigeki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
岡田 裕之 OKADA, Hiroyuki; JP
中 茂樹 NAKA, Shigeki; JP
代理人:
大谷 嘉一 OTANI, Kaichi; 〒9330023 富山県高岡市末広町14-45 Toyama 14-45, Suehirocho, Takaoka-shi, Toyama 9330023, JP
優先権情報:
2007-08031426.03.2007JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM LAMINATE, AND ORGANIC TRANSISTOR USING THE SAME
(FR) FILM MINCE LAMINÉ ET TRANSISTOR ORGANIQUE L'UTILISANT
(JA) 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a thin-film laminate, which can bring a film structure, impossible to ensure evenness due to the formation of a dendritic structure in the conventional semiconductor formation, to a flat film, by forming a laminate structure of a first organic layer, which has been controlled on a molecular layer thickness level, and a second organic layer or an inorganic ultrathin insulating layer different from the first organic layer. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A thin-film laminate characterized by comprising first organic thin films and second organic thin films or inorganic insulating thin films which have been alternatively stacked on top of each other a plurality of times.
(FR) [PROBLÈMES] obtenir un film mince laminé plane à partir d'une structure de film non plane en raison de la formation d'une structure dendritique lors de l'élaboration d'un semi-conducteur traditionnel, en formant une structure laminée composée d'une première couche organique, au niveau d'épaisseur de couche moléculaire contrôlé, et une deuxième couche organique ou une couche d'isolation inorganique ultra-mince différente de la première couche organique. [SOLUTION] film mince laminé caractérisé en ce qu'il comporte de premiers films minces organiques et de deuxièmes films minces organiques ou des films minces inorganique isolants empilés alternativement plusieurs fois les uns sur les autres.
(JA) 【課題】分子層厚さレベルで制御された第1の有機層と、第1の有機層とは異なる第2の有機層又は無機系の極薄絶縁層との積層構造を形成することで、従来の半導体層成膜では樹枝状構造等になってしまい均一性が確保できない膜構造を、平坦膜とすることが可能となる薄膜積層体の提供を目的とする。 【解決手段】第1の有機薄膜と、第2の有機薄膜又は無機系の絶縁性薄膜とを交互に複層積層してあることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090128476EP2130670JPWO2008117579JP5305461