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1. (WO2008117562) フォトニック結晶レーザおよびフォトニック結晶レーザの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/117562    国際出願番号:    PCT/JP2008/051241
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 29.01.2008
IPC:
H01S 5/18 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAITO, Hirohisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUBARA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAITO, Hirohisa; (JP).
MATSUBARA, Hideki; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2007-075902 23.03.2007 JP
発明の名称: (EN) PHOTONIC CRYSTAL LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTONIC CRYSTAL LASER
(FR) LASER À CRISTAL PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LASER À CRISTAL PHOTONIQUE
(JA) フォトニック結晶レーザおよびフォトニック結晶レーザの製造方法
要約: front page image
(EN)A photonic crystal laser (100) is provided with an n-type substrate (111), an n-type clad layer (112), an active layer (113), a p-type clad layer (116), a photonic crystal layer (115), a p-type electrode (118), an n-type electrode (119) and a mounting member (120). The n-type clad layer (112) is formed on a first surface (111a) of the n-type substrate (111). The active layer (113) is formed on the n-type clad layer (112). The p-type clad layer (116) is formed on the active layer (113). The photonic crystal layer (115) is formed between the n-type clad layer (112) and the active layer (113) or between the active layer (113) and the p-type clad layer (116), and includes a photonic crystal section (115a). The p-type electrode (118) is formed on the photonic crystal section (115a). The n-type electrode (119) is formed on a second surface (111b), and is composed of a light transmitting section (119a) arranged at a position facing the photonic crystal section (115a), and an outer circumference section (119b) having a light transmittance lower than that of the light transmitting section (119a).
(FR)L'invention porte sur un laser à cristal photonique (100) qui comporte un substrat de type n (111), une couche de gaine de type n (112), une couche active (113), une couche de gaine de type p (116), une couche à cristal photonique (115), une électrode de type p (118), une électrode de type n (119) et un élément de montage (120). La couche de gaine de type n (112) est formée sur une première surface (111a) du substrat de type n (111). La couche active (113) est formée sur la couche de gaine de type n (112). La couche de gaine de type p (116) est formée sur la couche active (113). La couche à cristal photonique (115) est formée entre la couche de gaine de type n (112) et la couche active (113) ou entre la couche active (113) et la couche de gaine de type p (116), et comprend une section à cristal photonique (115a). L'électrode de type p (118) est formée sur la section à cristal photonique (115a). L'électrode de type n (119) est formée sur une seconde surface (111b), et est composée d'une section de transmission de lumière (119a) disposée à une position opposée à la section à cristal photonique (115a), et une section de périphérie externe (119a) ayant une transmittance de lumière inférieure à celle de la section de transmission de lumière (119a).
(JA) フォトニック結晶レーザ(100)は、n型基板(111)とn型クラッド層(112)と活性層(113)とp型クラッド層(116)とフォトニック結晶層(115)とp型電極(118)とn型電極(119)と実装部材(120)とを備えている。n型クラッド層(112)は、n型基板(111)の第1の表面(111a)上に形成される。活性層(113)は、n型クラッド層(112)上に形成される。p型クラッド層(116)は、活性層(113)上に形成される。フォトニック結晶層(115)は、n型クラッド層(112)と活性層(113)との間、または活性層(113)とp型クラッド層(116)との間に形成され、フォトニック結晶部(115a)を含む。p型電極(118)は、フォトニック結晶部(115a)上に形成される。n型電極(119)は、第2の表面(111b)上に形成され、フォトニック結晶部(115a)と対向する位置に配置された光透過部(119a)と、光透過部(119a)よりも光の透過率が低い外周部(119b)とからなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)