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1. (WO2008117488) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117488 国際出願番号: PCT/JP2007/069426
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 27.09.2007
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人:
三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 〒5708677 大阪府守口市京阪本通二丁目5番5号 Osaka 5-5, Keihanhondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP (AllExceptUS)
三洋半導体株式会社 SANYO Semiconductor Co., Ltd [JP/JP]; 〒3700596 群馬県邑楽郡大泉町坂田1丁目1番地1号 Gunma 1-1-1, Sakata, Oizumi-machi, Ora-gun, Gunma 3700596, JP (AllExceptUS)
中里 功 NAKAZATO, Isao [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中里 功 NAKAZATO, Isao; JP
代理人:
岡田 敬 OKADA, Kei; 〒3730842 群馬県太田市細谷町170-1 Gunma 170-1, Hosoya-cho Ota-city, Gunma 3730842, JP
優先権情報:
2007-7684623.03.2007JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) A thin semiconductor device in which the loop height of a thin metal wire is lowered furthermore as compared with prior art. The semiconductor device has such a structure as the bonding pad (55) and the electrode (53B) of a semiconductor chip (54) are connected via a thin metal wire (51). The thin metal wire (51) draws a curve (57) from a first bond and has a second linear extension (60) through a bend (59) at the end of the curved portion (57).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur mince dans lequel la hauteur de boucle d'un fil métallique mince est encore réduite par rapport à l'art antérieur. Ce dispositif à semi-conducteur est conçu de manière à ce que le plot de connexion (55) et l'électrode (53B) d'une puce semi-conductrice (54) soient connectés au moyen d'un fil métallique mince (51). Ledit fil (51) forme une courbe (57) à partir d'une première liaison et comporte une seconde extension linéaire (60) se prolongeant par un coude (59) à l'extrémité de la partie incurvée (57).
(JA) 金属細線によるループ高さが従来よりも更に低くされた薄型の半導体装置を提供する。 本発明の半導体装置は、金属細線(51)を経由して半導体チップ(54)のボンディングパッド(55)と電極(53B)とが接続される構成をとる。前記金属細線(51)は、1stボンドから湾曲部(57)を描き、湾曲部(57)端部の曲折部(59)を介して直線的な第2の延在部(60)を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100090330CN101636830