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1. (WO2008117439) 表面加工方法および記録媒体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117439 国際出願番号: PCT/JP2007/056396
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 27.03.2007
IPC:
G11B 5/84 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84
記録担体の製造に特に適合する方法または装置
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 〒1058518 東京都港区芝大門一丁目13番9号 Kanagawa 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
佐藤 陽一 SATO, Yoichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
堀籠 茂 HORIGOME, Shigeru [JP/JP]; JP (UsOnly)
滝口 哲 TAKIGUCHI, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
高松 靖武 TAKAMATSU, Yasutake [JP/JP]; JP (UsOnly)
高橋 克典 TAKAHASHI, Katsunori [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
佐藤 陽一 SATO, Yoichi; JP
堀籠 茂 HORIGOME, Shigeru; JP
滝口 哲 TAKIGUCHI, Satoshi; JP
高松 靖武 TAKAMATSU, Yasutake; JP
高橋 克典 TAKAHASHI, Katsunori; JP
代理人:
山田 正紀 YAMADA, Masaki; 〒1050003 東京都港区西新橋3丁目3-3 ペリカンビル4階 Tokyo Pelican Building 4th Floor, 3-3, Nishi-shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SURFACE PROCESSING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 表面加工方法および記録媒体の製造方法
要約:
(EN) A method for processing the surface of a substrate comprising an arranging step for arranging a substrate in a vacuum chamber; a processing step for sputtering the surface of a substrate by applying a high frequency voltage to the substrate; a measuring step for measuring cathode drop potential occurring in the substrate during the processing step and obtaining the time integration value thereof; and a judging step for judging whether surface processing state of the substrate is good or not based on the time integration value obtained in the measuring step. Surface processing state of the substrate can be judged precisely by utilizing a factthat good correlation exists between the time integration value of cathode drop potential and the surface processing amount of the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé pour traiter la surface d'un substrat comprenant une étape d'agencement pour agencer un substrat dans une chambre sous vide ; une étape de traitement pour pulvériser par pulvérisation cathodique la surface d'un substrat par application d'une tension haute fréquence au substrat ; une étape de mesure pour mesurer un potentiel de chute de cathode se produisant dans le substrat pendant l'étape de traitement et obtenir la valeur d'intégration temporelle de celui-ci ; et une étape de détermination pour déterminer si l'état de traitement de surface du substrat est bon ou pas sur la base de la valeur d'intégration temporelle obtenue dans l'étape de mesure. L'état de traitement de surface du substrat peut être déterminé de manière précise par utilisation du fait qu'une bonne corrélation existe entre la valeur d'intégration temporelle du potentiel de chute de cathode et la quantité de traitement de surface du substrat.
(JA)  基板の表面を加工する表面加工方法において、真空のチャンバ内に基板を配置する配置過程と、基板に高周波電圧を印加して基板の表面をスパッタリングする加工過程と、加工過程で基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、計測過程で求められた時間積分値に基づいて、基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程とを有する。陰極降下電位の時間積分値と、基板の表面の加工量との間に良好な相関関係が存在することを利用することにより、基板の表面の加工状態を精度良く判定することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100116645JP5123930