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1. (WO2008117426) 半導体装置、および製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117426 国際出願番号: PCT/JP2007/056358
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 27.03.2007
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
宮崎 幸正 MIYAZAKI, Yukimasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
永井 孝一 NAGAI, Kouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
菊池 秀明 KIKUCHI, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
宮崎 幸正 MIYAZAKI, Yukimasa; JP
永井 孝一 NAGAI, Kouichi; JP
菊池 秀明 KIKUCHI, Hideaki; JP
代理人:
松倉 秀実 MATSUKURA, Hidemi; 〒1030004 東京都中央区東日本橋3丁目4番10号 アクロポリス21ビル6階 Tokyo Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置、および製造方法
要約:
(EN) Stable contact hole forming is attained even when an aluminum oxide film is present between layers provided with contact holes. The process comprises the steps of forming a first element layer on a semiconductor substrate; forming a first interlayer insulating film on the first element layer; forming a second element layer on the first interlayer insulating film; forming a second interlayer insulating film on the second element layer; forming a hole resist pattern on the second interlayer insulating film; conducting a first etching for forming of holes by etching the second interlayer insulating film; and conducting a second etching for extending of holes to the first element layer by etching the first interlayer insulating film.
(FR) L'invention concerne une formation de trou de contact stable réalisée même lorsqu'un film d'oxyde d'aluminium est présent entre des couches comportant des trous de contact. Le procédé comprend les étapes consistant à former une première couche d'élément sur un substrat à semiconducteur; à former un premier film isolant d'intercouche sur la première couche d'élément; à former une seconde couche d'élément sur le premier film isolant d'intercouche; à former un second film isolant d'intercouche sur la seconde couche d'élément; à former un motif de réserve à trous sur le second film isolant d'intercouche; à réaliser une première gravure afin de former des trous par gravure du second film isolant d'intercouche; et à réaliser une seconde gravure afin d'étendre les trous à la première couche d'élément par gravure du premier film isolant d'intercouche.
(JA) コンタクトホールが形成される層の中間に酸化アルミニウム膜が存在しても安定したコンタクトホールを形成する。半導体基板上に第1素子層を形成する工程と、第1素子層の上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、第1層間絶縁膜の上に第2素子層を形成する工程と、第2素子層の上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、第2層間絶縁膜の上にホールのレジストパターンを形成する工程と、第2層間絶縁膜をエッチングしてホールを形成する第1エッチング工程と、第1層間絶縁膜をエッチングしてホールを第1素子層まで延伸する第2エッチング工程とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP5316406