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1. (WO2008117395) 有機半導体素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117395 国際出願番号: PCT/JP2007/056212
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 26.03.2007
予備審査請求日: 18.12.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人:
パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 〒1538654 東京都目黒区目黒1丁目4番1号 Tokyo 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654, JP (AllExceptUS)
中馬 隆 CHUMAN, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
原田 千寛 HARADA, Chihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中馬 隆 CHUMAN, Takashi; JP
原田 千寛 HARADA, Chihiro; JP
代理人:
水野 勝文 MIZUNO, Katsufumi; 〒1000005 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 丸の内仲通りビル721 Tokyo 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機半導体素子及びその製造方法
要約:
(EN) [PROBLEMS] To enable the formation of a pattern with higher definition and to more uniformly form an organic semiconductor layer on a channel region in an organic semiconductor element. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A gate electrode (2) is formed on a substrate (1), a gate insulating layer (3) is formed on the gate electrode (2), a source electrode (4) and a drain electrode (5) are formed on the gate insulating layer (3), an organic semiconductor layer (6) opposed to the gate electrode (2) over the gate insulating layer (3) between the source and drain electrodes (4, 5) is formed, and barriers (7) with lower surface energy than that of a channel region except for a channel region formed between the source and drain electrodes (4, 5) are formed on the source and drain electrode planes (4, 5).
(FR) L'invention vise à permettre la formation d'un motif avec une définition supérieure et à former de manière plus uniforme une couche semi-conductrice organique sur une région de canal dans un élément semi-conducteur organique. A cet effet, une électrode de grille (2) est formée sur un substrat (1), une couche isolante de grille (3) est formée sur l'électrode de grille (2), une électrode de source (4) et une électrode de drain (5) sont formées sur la couche isolante de grille (3), une couche semi-conductrice organique (6) opposée à l'électrode de grille (2) est formée sur la couche isolante de grille (3) entre les électrodes de source et de drain (4, 5), et des barrières (7) avec une énergie de surface inférieure à celle d'une région de canal à l'exception d'une région de canal formée entre les électrodes de source et de drain (4, 5) sont formées sur les plans d'électrodes de source et de drain (4, 5).
(JA) 【課題】有機半導体素子において、より高精細なパターン形成を可能とし、チャネル領域に有機半導体層をより均一に形成する。 【解決手段】基板1上にゲート電極2が形成され、ゲート電極2上にゲート絶縁層3が形成され、ゲート絶縁層3上にソース電極4とドレイン電極5が形成され、ソース・ドレイン電極4、5間でゲート絶縁層3を介してゲート電極2に対向する有機半導体層6を有し、ソース・ドレイン電極4、5面には、ソース・ドレイン電極4、5間に形成されるチャネル領域を除いて、表面エネルギーがチャネル領域より低い隔壁7が形成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100005086US20100090204