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1. (WO2008117362) 有機トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/117362    国際出願番号:    PCT/JP2007/055965
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 23.03.2007
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (米国を除く全ての指定国).
CHUMAN, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: CHUMAN, Takashi; (JP)
代理人: MIZUNO, Katsufumi; 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) ORGANIC TRANSISTOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機トランジスタ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an organic transistor that realizes highly fine patterning, appropriate contact and prevention of leak current. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The organic transistor comprises substrate (1), gate electrode (2) superimposed on the substrate (1), gate insulating film (3) superimposed on the gate electrode (2), drain electrode (5) and source electrode (4) superimposed on the gate insulating film (3), and organic semiconductor layer (6) laid opposite to the gate electrode (2) with the gate insulating film (3) interposed therebetween between the source electrode (4) and the drain electrode (5). The organic transistor further comprises insulating layer (7) with opening (7a) defining the region of formation of the organic semiconductor layer (6), which insulating layer (7) is formed by vapor deposition of a low-molecular organic semiconductor material, such as pentacene.
(FR)L'invention vise à proposer un transistor organique qui réalise un motif hautement fin, un contact approprié et empêche une fuite de courant. A cet effet, un transistor organique comprend un substrat (1), une électrode de grille (2) superposée sur le substrat (1), un film (3) d'isolation de grille superposé sur l'électrode de grille (2), une électrode de drain (5) et une électrode de source (4) superposées sur le film (3) d'isolation de grille, et une couche (6) semi-conductrice organique disposée opposée à l'électrode de grille (2) avec le film (3) d'isolation de grille interposé entre celles-ci entre l'électrode de source (4) et l'électrode de drain (5). Le transistor organique comprend en outre une couche isolante (7) avec une ouverture (7a) définissant la région de formation de la couche (6) semi-conductrice organique, laquelle couche isolante (7) est formée par dépôt en phase vapeur d'un matériau semi-conducteur organique à faible masse nucléaire, tel que le pentacène.
(JA)【課題】高精細なパターニングを可能とし、良好な接触で、リーク電流を防止する有機トランジスタを提供する。 【解決手段】有機トランジスタは、基板1、基板1上に形成されたゲート電極2、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3、ゲート絶縁層3上に形成されたソース電極4とドレイン電極5、及びソース電極2とドレイン電極3間でゲート絶縁層3を介してゲート電極2に対向する有機半導体層6を有し、さらに、ペンタセン等の低分子系の有機半導体材料を用いて蒸着によって形成される前記有機半導体層6の形成領域を規定する開口部7aを有する絶縁層7を備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)