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1. (WO2008117362) 有機トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117362 国際出願番号: PCT/JP2007/055965
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 23.03.2007
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 〒1538654 東京都目黒区目黒1丁目4番1号 Tokyo 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654, JP (AllExceptUS)
中馬 隆 CHUMAN, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中馬 隆 CHUMAN, Takashi; JP
代理人:
水野 勝文 MIZUNO, Katsufumi; 〒1000005 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 丸の内仲通りビル721 Tokyo 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ORGANIC TRANSISTOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機トランジスタ及びその製造方法
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide an organic transistor that realizes highly fine patterning, appropriate contact and prevention of leak current. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The organic transistor comprises substrate (1), gate electrode (2) superimposed on the substrate (1), gate insulating film (3) superimposed on the gate electrode (2), drain electrode (5) and source electrode (4) superimposed on the gate insulating film (3), and organic semiconductor layer (6) laid opposite to the gate electrode (2) with the gate insulating film (3) interposed therebetween between the source electrode (4) and the drain electrode (5). The organic transistor further comprises insulating layer (7) with opening (7a) defining the region of formation of the organic semiconductor layer (6), which insulating layer (7) is formed by vapor deposition of a low-molecular organic semiconductor material, such as pentacene.
(FR) L'invention vise à proposer un transistor organique qui réalise un motif hautement fin, un contact approprié et empêche une fuite de courant. A cet effet, un transistor organique comprend un substrat (1), une électrode de grille (2) superposée sur le substrat (1), un film (3) d'isolation de grille superposé sur l'électrode de grille (2), une électrode de drain (5) et une électrode de source (4) superposées sur le film (3) d'isolation de grille, et une couche (6) semi-conductrice organique disposée opposée à l'électrode de grille (2) avec le film (3) d'isolation de grille interposé entre celles-ci entre l'électrode de source (4) et l'électrode de drain (5). Le transistor organique comprend en outre une couche isolante (7) avec une ouverture (7a) définissant la région de formation de la couche (6) semi-conductrice organique, laquelle couche isolante (7) est formée par dépôt en phase vapeur d'un matériau semi-conducteur organique à faible masse nucléaire, tel que le pentacène.
(JA) 【課題】高精細なパターニングを可能とし、良好な接触で、リーク電流を防止する有機トランジスタを提供する。 【解決手段】有機トランジスタは、基板1、基板1上に形成されたゲート電極2、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3、ゲート絶縁層3上に形成されたソース電極4とドレイン電極5、及びソース電極2とドレイン電極3間でゲート絶縁層3を介してゲート電極2に対向する有機半導体層6を有し、さらに、ペンタセン等の低分子系の有機半導体材料を用いて蒸着によって形成される前記有機半導体層6の形成領域を規定する開口部7aを有する絶縁層7を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100096621JP4531850