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1. (WO2008117355) 半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117355 国際出願番号: PCT/JP2007/055877
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 22.03.2007
IPC:
H01L 21/428 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
42
輻射線の照射
423
高エネルギーの輻射線を有するもの
428
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 〒1538654 東京都目黒区目黒1丁目4番1号 Tokyo 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654, JP (AllExceptUS)
越智 英夫 OCHI, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉澤 淳志 YOSHIZAWA, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 英夫 SATOH, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
中馬 隆 CHUMAN, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
大田 悟 OHTA, Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
原田 千寛 HARADA, Chihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
越智 英夫 OCHI, Hideo; JP
吉澤 淳志 YOSHIZAWA, Atsushi; JP
佐藤 英夫 SATOH, Hideo; JP
中馬 隆 CHUMAN, Takashi; JP
大田 悟 OHTA, Satoru; JP
原田 千寛 HARADA, Chihiro; JP
代理人:
水野 勝文 MIZUNO, Katsufumi; 〒1000005 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 丸の内仲通りビル721 Tokyo 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板
要約:
(EN) It is an object to provide a semiconductor substrate manufacturing device that carries out predetermined processing, such as annealing treatment and semiconductor material coating, with high accuracy for a lot of semiconductor forming regions widely formed on a surface of a flexible substrate, such as a plastic substrate, even if the substrate expands or shrinks. The semiconductor substrate manufacturing device is comprised of a tracking means (33) provided with a light emitting unit (34) for irradiating light to the substrate surface while tracking, a light receiving means (35) for receiving light that reflects from the substrate surface irradiated by the light from the light emitting unit (34), and a position detecting unit (36) for detecting a position of the semiconductor forming region based on a spectrum or intensity of the received light; and a structure as a semiconductor processing means for carrying out predetermined processing for each semiconductor forming region, for example, an annealing light irradiating means (37) and an ink jet nozzle.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur consistant à réaliser un traitement prédéterminé, tel qu'un traitement de recuit et un revêtement de matériau semi-conducteur, avec une grande précision pour de nombreuses régions de formation de semi-conducteurs formées de manière étendue sur une surface d'un substrat souple, tel qu'un substrat en matière plastique, même si le substrat se dilate ou se rétrécit. Le dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur comporte un moyen de repérage (33) muni d'une unité d'émission de lumière (34) pour irradier de la lumière vers la surface de substrat tout en assurant un repérage, un moyen de réception de lumière (35) pour recevoir la lumière qui réfléchit depuis la surface de substrat irradiée par la lumière provenant de l'unité d'émission de lumière (34), et une unité de détection de position (36) pour détecter une position d'une région de formation de semi-conducteur en fonction d'un spectre ou d'une intensité de la lumière reçue; et une structure sous la forme d'un moyen de traitement de semi-conducteurs pour effectuer un traitement prédéterminé pour chaque région de formation de semi-conducteur, par exemple, un moyen d'irradiation de lumière de recuit (37) et une buse à jet d'encre.
(JA) プラスチック基板などの伸縮性を有する基板の表面に広範囲に亘って形成される多数の半導体形成領域に対して、基板が伸縮しても、アニール処理や半導体材料の塗布などの所定の処理を高精度に行う半導体基板製造装置を提供する。 トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部(34)と、この発光部(34)から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部(35)と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部(36)と、を有するトラッキング手段(33)と、前記トラッキング手段(33)からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段として、例えばアニール光照射手段(37)やインクジェットノズルを備えた構成とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100044890