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1. (WO2008117354) 磁気抵抗効果素子、及びこれを備えた磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117354 国際出願番号: PCT/JP2007/055875
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 22.03.2007
IPC:
H01L 43/08 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01F 10/30 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33
磁気的変量を測定する計器または装置
02
磁界または磁束の方向または大きさの測定
06
電流磁気装置を使用するもの
09
磁気抵抗装置を使用するもの
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
127
ヘッド,例.誘導型,の構造または製造
33
磁束感知ヘッドの構造または製造
39
磁気抵抗装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
26
基体または中間層に特徴のあるもの
30
中間層の組成によって特徴づけられたもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
城後 新 JOGO, Arata [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
城後 新 JOGO, Arata; JP
代理人:
岡本 啓三 OKAMOTO, Keizo; 〒1030013 東京都中央区日本橋人形町3丁目11番7号 山西ビル4階 岡本国際特許事務所 Tokyo OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND, EQUIPPED THEREWITH, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING APPARATUS AND MAGNETIC MEMORY UNIT
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE , ET TÊTE MAGNÉTIQUE, APPAREIL D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE, ET UNITÉ DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ÉQUIPÉS D'UN TEL DISPOSITIF
(JA) 磁気抵抗効果素子、及びこれを備えた磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ装置
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a magnetoresistance effect device that regarding a CPP type magnetoresistance effect device, realizes a high MR ratio through improvement of a material of laminated ferri-pinned layer; a process for producing the magnetoresistance effect device; and, constructed using the device, a magnetic head, magnetic disc apparatus and magnetic memory unit. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a magnetoresistance effect device characterized by having a substrate and, sequentially superimposed thereon, an antiferromagnetic layer, a first fixed magnetized layer, a nonmagnetic binding layer, a second fixed magnetized layer, a nonmagnetic interlayer and a free ferromagnetic layer, wherein either the first fixed magnetized layer or the second fixed magnetized layer has a film from a material consisting of an alloy containing a rare earth element or a rare earth element per se. Preferably, the material consisting of an alloy containing a rare earth element or a rare earth element per se is one represented by the formula (CoaFe(1-a))(1-b)Xb (wherein X is at least one of Sm, Eu, Gd, Tb and Dy, and a and b are atomic composition ratios, satisfying the relationships 0≤a≤1 and 0.05≤b≤1).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance, notamment un dispositif à effet de magnétorésistance CPP, permettant de réaliser un rapport de magnétorésistance élevé grâce à l'amélioration d'un matériau de couche ferromagnétique fixée ; un procédé de production du dispositif à effet de magnétorésistance ; et, une tête magnétique, un appareil de disque magnétique construits avec ledit dispositif ainsi qu'une unité de mémoire magnétique. L'invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance caractérisé en ce qu'il comporte un substrat et, successivement superposées sur le substrat, une couche anti-ferromagnétique, une première couche magnétisée fixée, une couche de liaison amagnétique, une seconde couche magnétisée fixée, une couche intermédiaire amagnétique et une couche ferromagnétique libre, soit la première couche magnétisée fixée soit la seconde couche magnétisée fixée comprenant un film réalisé à partir d'un matériau constitué d'un alliage contenant un élément de terre rare ou d'un élément de terre rare en soi. De préférence, le matériau constitué d'un alliage contenant un élément de terre rare ou d'un élément de terre rare en soi est représenté par la formule (CoaFe(1-a))(1-b)Xb dans laquelle X est au moins un parmi Sm, Eu, Gd, Tb et Dy, et a et b sont des rapports atomiques de composition, satisfaisant les relations 0≤a≤1 et 0.05≤b≤1.
(JA) 【課題】 CPP型の磁気抵抗効果素子において、積層フェリピン層の材料を改善しMR比の高い磁気抵抗効果素子を得ると共に、この磁気抵抗効果素子の製造方法、この素子を利用した磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置を提供する。 【解決手段】 基板の上方に反強磁性層と、第1固定磁化層と、非磁性結合層と、第2固定磁化層と、非磁性中間層と、フリー強磁性層とが順に形成され、前記第1固定磁化層および第2固定磁化層のうちの何れか一方が、希土類元素を含む合金、または希土類元素の単体からなる材料から形成された膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子による。  前記希土類元素を含む合金、または希土類元素の単体からなる材料が、(CoaFe(1-a)(1-b)b(XはSm、Eu、Gd、Tb、Dyの少なくとも一種、a及びbは原子組成比率を表し、0≦a≦1、0.05≦b≦1)で表される材料であると好適である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)