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1. (WO2008114845) Mg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体およびそれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114845    国際出願番号:    PCT/JP2008/055179
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 14.03.2008
IPC:
C30B 29/22 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01)
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; MITSUBISHI Building, 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SEKIWA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHASHI, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAGUCHI, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SEKIWA, Hideyuki; (JP).
KOBAYASHI, Jun; (JP).
OHASHI, Naoki; (JP).
SAKAGUCHI, Isao; (JP)
代理人: KOBAYASHI, Hiroshi; c/o ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040028 (JP)
優先権情報:
2007-072954 20.03.2007 JP
発明の名称: (EN) Mg-CONTAINING ZnO MIXED SINGLE CRYSTAL, LAMINATE THEREOF AND THEIR PRODUCTION METHODS
(FR) MONOCRISTAL DE ZnO QUI CONTIENT DU MAGNÉSIUM (Mg), SON STRATIFIÉ ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
(JA) Mg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体およびそれらの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an Mg-containing ZnO mixed single crystal, which is characterized by containing an Mg-containing ZnO semiconductor having a band gap (Eg) satisfying 3.30 eV < Eg ≤ 3.54 eV and having a film thickness of not less than 5 &mgr;m. Also disclosed is a method for producing an Mg-containing ZnO mixed single crystal by liquid-phase epitaxial growth, which is characterized in that an Mg-containing ZnO mixed single crystal is grown on a substrate by mixing and melting ZnO and MgO as solutes and PbO and Bi2O3 (or alternatively, PbF2 and PbO) as solvents together, and then bringing a substrate into direct contact with the thus-obtained melt.
(FR)La présente invention porte sur un monocristal d'oxyde de zinc (ZnO) qui contient du magnésium (Mg), caractérisé en ce qu'il contient un semi-conducteur en ZnO qui contient du Mg ayant une bande interdite (Eg) satisfaisant la relation 3.30 eV < Eg ≤ 3.54 eV et ayant une épaisseur de film qui n'est pas inférieure à 5 µm. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un monocristal de ZnO qui contient du Mg par une croissance épitaxiale en phase liquide, caractérisé en ce qu'un monocristal de ZnO qui contient du Mg est développé sur un substrat en mélangeant et en faisant fondre ensemble le ZnO et le MgO comme solutés et le PbO et le Bi2O3 (ou, en variante, le PbF2 et le PbO) comme solvants, puis en mettant en contact direct un substrat avec la masse fondue ainsi obtenue.
(JA) 本発明によれば、バンドギャップ(Eg)が3.30<Eg≦3.54eVであるMgを含有するZnO系半導体を含み、膜厚が5μm以上であることを特徴とするMg含有ZnO系混晶単結晶を提供することができる。また、本発明によれば、溶質であるZnOおよびMgOと、溶媒であるPbOおよびBi2O3(あるいはPbF2およびPbO)とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることにより、Mg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させることを特徴とする液相エピタキシャル成長法によるMg含有ZnO系混晶単結晶の製造方法を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)