WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008114806) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114806    国際出願番号:    PCT/JP2008/055027
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 12.03.2008
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01)
出願人: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SANYO SEMICONDUCTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Sakata 1-chome, Oizumi-machi, Ora-gun, Gunma 3700596 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAMEYAMA, Kojiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAMEYAMA, Kojiro; (JP)
代理人: SUTO, Katsuhiko; OK Bldg.2 2F, 388 Komaigi-cho, Ota-shi, Gunma 3730818 (JP)
優先権情報:
2007-065353 14.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In the case of forming a thin film semiconductor device by polishing a wafer, the rear surface of each chip must have been separately processed independently by being divided into chips. In this invention, the front surface of a wafer (2a) is bonded on a rigid supporting body (5) through a bonding layer (6), in a status where a groove section (4) is formed on the front surface of the wafer (2a) by half dicing. Then, after polishing the rear surface of the wafer (2a) and dividing the wafer into each chip (2b), rear surface processing, including heat treatment for forming a rear surface electrode (9a) and the like, is performed without separating the chip (2b) from the supporting body (5).
(FR)Lors de la formation d'un dispositif à semi-conducteur à couche mince par polissage d'une tranche, la surface arrière de chaque puce doit être traitée séparément de façon indépendante en étant divisée en puces. Dans cette invention, la surface avant d'une tranche (2a) est liée à un corps de support rigide (5) par une couche de liaison (6), dans un état où une section de rainures (4) est formée sur la surface avant de la tranche (2a) par formation de semi-dés. Puis, après polissage de la surface arrière de la tranche (2a) et division de la tranche pour obtenir chaque puce (2b), le traitement de la surface arrière, y compris un traitement thermique pour former une électrode de surface arrière (9a) ou autre, est exécuté sans séparer la puce (2b) du corps de support (5).
(JA)ウエハを研削して薄膜の半導体装置を形成する場合、チップの裏面は、各チップに分離してそれぞれ別途加工する必要があった。本発明では、ウエハ2aの表面にハーフダイシングを行って溝部4を形成した状態で、剛性のある支持体5に接着層6を介してウエハ2aの表面と貼り付ける。そして、ウエハ2aの裏面を研削して各チップ2bに個片化したあと、チップ2bを支持体5から分離せずに、裏面電極9a形成などの熱処理を伴う裏面加工を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)