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1. (WO2008114772) 窒化物半導体基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114772    国際出願番号:    PCT/JP2008/054864
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 17.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA, Harumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAGI, Yasufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUWABARA, Masakazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA, Harumasa; (JP).
TAKAGI, Yasufumi; (JP).
KUWABARA, Masakazu; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2007-075421 22.03.2007 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体基板
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor substrate (1) is provided with a GaN semiconductor layer (6), which is grown on a base layer (4) and has a substantially triangular cross-section along the thickness direction, a periodic stripe shape, and an uneven surface (62) arranged on the stripe inclined surface; and an embedded layer (7) which is formed on the GaN semiconductor layer (6) and is composed of AlGaN or InAlGaN.
(FR)L'invention porte sur un substrat semi-conducteur (1) à base de nitrure, qui comporte une couche semi-conductrice (6) de GaN, qui a subi une croissance sur une couche de base (4) et présente une section transversale sensiblement triangulaire le long de la direction d'épaisseur, une forme à raies périodiques, et une surface irrégulière (62) disposée sur la surface inclinée à raies ; et une couche insérée (7) qui est formée sur la couche semi-conductrice (6) de GaN et est composée d'AlGaN ou d'InAlGaN.
(JA) 窒化物半導体基板1は、下地層4上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面上に凹凸面62を設けられたGaN系半導体層6と、GaN系半導体層6上に形成されたAlGaN又はInAlGaNからなる埋め込み層7とを備えることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)