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1. (WO2008114719) ラジカル発生装置及びZnO系薄膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114719    国際出願番号:    PCT/JP2008/054731
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 14.03.2008
IPC:
C23C 14/48 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YUJI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMURA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHARA, Ken; (JP).
YUJI, Hiroyuki; (JP).
TAMURA, Kentaro; (JP).
AKASAKA, Shunsuke; (JP).
KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP).
TSUKAZAKI, Atsushi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-067390 15.03.2007 JP
発明の名称: (EN) RADICAL GENERATING APPARATUS AND ZNO THIN FILM
(FR) APPAREIL DE GÉNÉRATION DE RADICAUX ET FILM MINCE DE ZNO
(JA) ラジカル発生装置及びZnO系薄膜
要約: front page image
(EN)Disclosed is a radical generating apparatus wherein the purity of plasma atoms to be discharged is increased, inclusion of impurities is prevented, and controllability of the ion concentration is improved. Also disclosed is a ZnO thin film which is free from inclusion of impurities. Specifically, a high-frequency coil (4) is wound around the outer circumference of a discharge tube (10), and the ends of the high-frequency coil (4) are connected to a high-frequency power supply (9). The discharge tube (10) is composed of a discharge chamber (1), a cover (2) and a bottom plate (3) for gas introduction. A support (8) is also provided, and a supporting column (6) is arranged on the support (8). A shutter (5) is connected to the supporting column (6). All or a part of the shaded portions in the figure 1, namely the shutter (5), the cover (2), the discharge chamber (1) and the bottom plate (3) for gas introduction, are made of a silicon compound such as quartz.
(FR)L'invention concerne un appareil de génération de radicaux dans lequel la pureté d'atomes de plasma devant être déchargés est augmentée, l'inclusion d'impuretés est empêchée et la contrôlabilité de la concentration en ions est améliorée. L'invention concerne également un film mince de ZnO qui est exempt d'inclusion d'impuretés. De manière spécifique, une bobine haute fréquence (4) est enroulée autour de la périphérie externe d'un tube de décharge (10), et les extrémités de la bobine haute fréquence (4) sont reliées à une alimentation électrique haute fréquence (9). Le tube de décharge (10) est composé d'une chambre de décharge (1), d'un couvercle (2) et d'une plaque inférieure (3) pour une introduction de gaz. Un support (8) est également prévu, et une colonne de support (6) est disposée sur le support (8). Un obturateur (5) est relié à la colonne de support (6). La totalité ou une partie des parties ombrées sur la figure 1, à savoir l'obturateur (5), le couvercle (2), la chambre de décharge (1) et la plaque inférieure (3) pour une introduction de gaz, sont faits à partir d'un composé de silicium tel que le quartz.
(JA)【課題】放出されるプラズマ原子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くしたラジカル発生装置及び不純物の混入が防止されたZnO系薄膜を提供する。 放電管10の外側周囲を高周波コイル4で巻き回されており、高周波コイル4の端子は、高周波電源9に接続されている。放電管10は、放電室1、蓋2、ガス導入用底板3で構成されている。また、支持台8が設けられており、支持台8には支柱6が配置され、支柱6にはシャッター5が接続されている。斜線が付されている構成部品、すなわち、シャッター5、蓋2、放電室1、ガス導入用底板3については、これらのすべて、又は一部について石英等のシリコン系化合物で形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)