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1. (WO2008114644) レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114644    国際出願番号:    PCT/JP2008/054343
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 11.03.2008
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Tomoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ABE, Takayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAKIZAWA, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Atsushi; (JP).
NAGAI, Tomoki; (JP).
ABE, Takayoshi; (JP).
KAKIZAWA, Tomohiro; (JP)
代理人: WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building 20-18, Asakusabashi 3-chome Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
優先権情報:
2007-069238 16.03.2007 JP
2007-246843 25.09.2007 JP
発明の名称: (EN) RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND RESIN COMPOSITION CAPABLE OF INSOLUBILIZING RESIST PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST ET COMPOSITION DE RÉSINE CAPABLE D'INSOLUBILISER UN MOTIF DE RÉSIST
(JA) レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a resist pattern, which comprises the steps of: (1) selectively exposing a first resist layer to light through a mask and developing the resist layer to form a first resist pattern; (2) applying a resin composition capable of insolubilizing a resist pattern (the resin composition can make the first resist pattern insoluble) onto the first resist pattern, baking or UV-curing the composition, and developing the composition, thereby converting the first resist pattern to an insolubilized resist pattern; (3) forming a second resist layer on the insolubilized resist pattern, and selectively exposing the second resist layer to light through a mask; and (4) developing the second resist layer, thereby forming a second resist pattern.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un motif de résist, lequel procédé comprend les étapes consistant : (1) à exposer de façon sélective une première couche de résist à de la lumière à travers un masque et développer la couche de résist pour former un premier motif de résist ; (2) à appliquer une composition de résine capable d'insolubiliser un motif de résist (la composition de résine peut rendre insoluble le premier motif de résist) sur le premier motif de résist, cuire ou durcir par ultraviolet la composition, et développer la composition, convertissant ainsi le premier motif de résist en un motif de résist insolubilisé ; (3) à former une seconde couche de résist sur le motif de résist insolubilisé et exposer de façon sélective la seconde couche de résist à de la lumière à travers un masque ; et (4) à développer la seconde couche de résist, formant ainsi un second motif de résist.
(JA) (1)第一のレジスト層にマスクを介して選択的に露光した後、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、(2)第一のレジストパターン上に、第一のレジストパターンを不要化することが可能なレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はUVキュア後、現像して、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、(3)不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層にマスクを介して選択的に露光する工程と、(4)現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)