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1. (WO2008114609) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114609    国際出願番号:    PCT/JP2008/053883
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 27.02.2008
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUME, Ippei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUME, Ippei; (JP).
INOUE, Naoya; (JP).
HAYASHI, Yoshihiro; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2007-071273 19.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a semiconductor device having a capacitor with less dielectric constant deterioration and less leakage between upper and lower electrodes, and a method for manufacturing such semiconductor device. A capacitor structure is configured by laminating a lower electrode, a capacitor insulating film and an upper electrode in sequence on wiring or a contact plug. The capacitor structure is a thin film capacitor structure having an oxidized metal thin film, which has an insulating characteristic and exhibits a high dielectric constant, on an interface between the lower electrode and the capacitor insulating film.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant un condensateur avec une détérioration de constante diélectrique moindre et moins de fuite entre des électrodes supérieure et inférieure, et un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur. Une structure de condensateur est configurée par lamination d'une électrode inférieure, d'un film isolant de condensateur et d'une électrode supérieure en séquence sur un câblage ou une fiche de contact. La structure de condensateur est une structure de condensateur en film mince ayant un film mince oxydé, qui a une caractéristique isolante et présente une constante diélectrique élevée, sur une interface entre l'électrode inférieure et le film isolant de condensateur.
(JA) 本発明の課題は、誘電率の低下や上下電極間リークが少ないキャパシタを持つ半導体装置とその製造方法を提供することにある。本発明は、配線上、あるいはコンタクトプラグ上に、下部電極、容量絶縁膜、上部電極と順次積層して構成された容量構造において、下部電極、容量絶縁膜界面に絶縁性を有し、高誘電率を示す酸化処理された金属薄膜を有する薄膜キャパシタ構造としたものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)