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1. (WO2008114532) コア/シェル型半導体ナノ粒子の製造方法とそれを用いて製造された半導体ナノ粒子集合体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114532    国際出願番号:    PCT/JP2008/051174
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 28.01.2008
IPC:
B82B 3/00 (2006.01), B01J 13/04 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/59 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. [JP/JP]; 1, Sakura-machi, Hino-shi, Tokyo 1918511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIKAWA, Kumiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIKAWA, Kumiko; (JP).
TSUKADA, Kazuya; (JP)
優先権情報:
2007-068253 16.03.2007 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE AND SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE AGGREGATE PRODUCED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE NANOPARTICULE SEMI-CONDUCTRICE NOYAU/COQUILLE ET UN AGRÉGAT DE NANOPARTICULE SEMI-CONDUCTRICE PRODUIT PAR CELLE-CI
(JA) コア/シェル型半導体ナノ粒子の製造方法とそれを用いて製造された半導体ナノ粒子集合体
要約: front page image
(EN)A process for producing core/shell semiconductor nanoparticles of high luminescence intensity; and a core/shell semiconductor nanoparticle aggregate produced by the process. The process for producing core/shell semiconductor nanoparticles is one including forming core particles using an inverted micelle according to microemulsion technique and continuously forming shells, characterized in that the ratio of distribution coefficient logarithm of the forming field at core formation (LogPC) to distribution coefficient logarithm of the forming field at shell formation (LogPS), LogPC/LogPS satisfies the relationship of the formula: 0.5≤LogPC/LogPS≤0.9 (1).
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire des nanoparticules semi-conductrices noyau/coquille ayant une intensité de luminescence élevée; et un agrégat de nanoparticules semi-conductrices noyau/coquille produit par le procédé. Le procédé de production de nanoparticules semi-conductrices noyau/coquille est un procédé comprenant les étapes consistant à former des particules de noyau en utilisant une micelle inversée selon une technique de micro-émulsion et à former des coquilles en continu, caractérisé en ce que le rapport de logarithme de coefficient de distribution du champ de formation à la formation de noyau (LogPC) sur le logarithme de coefficient de distribution du champ de formation à la formation de coquille (LogPS), LogPC/LogPS, satisfait la relation de la formule : 0.5≤LogPC/LogPS≤0.9 (1).
(JA) 発光強度の高いコア/シェル型半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。また、当該製造方法を用いて製造されたコア/シェル型半導体ナノ粒子集合体を提供する。当該コア/シェル型半導体ナノ粒子の製造方法は、逆ミセルを利用してマイクロエマルジョン法にてコア粒子形成をし、連続してシェルを形成するコア/シェル型半導体ナノ粒子製造方法において、コア形成時の形成場の分配係数対数値(LogPC)とシェル形成時の形成場の分配係数対数値(LogPS)の比LogPC/LogPSが下記一般式1で表される範囲にあることを特徴とする。 一般式1:0.5≦LogPC/LogPS≦0.9
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)