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1. (WO2008114466) シリコン角柱およびその製造法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114466    国際出願番号:    PCT/JP2007/060298
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 14.05.2007
予備審査請求日:    18.09.2007    
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/12 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KAGAWA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Saiwai-cho, Takamatsu-shi, Kagawa 7608521 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OOHIRA, Fumikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHIGUCHI, Gen [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAO, Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OOHIRA, Fumikazu; (JP).
HASHIGUCHI, Gen; (JP).
NAGAO, Shinya; (JP)
代理人: YAMAUCHI, Yasunobu; Yamauchi Patent Attorney, Nihon Seimei-Takamatsu-Ekimae Bldg. 3F 1-1-8, Kotobuki-cho, Takamatsu-shi, Kagawa 7600023 (JP)
優先権情報:
2007-067708 16.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SILICON OF PRISMATIC SHAPE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) SILICIUM AYANT UNE FORME PRISMATIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) シリコン角柱およびその製造法
要約: front page image
(EN)A process for producing a silicon of prismatic shape according to an utterly novel technological principle; and a silicon of prismatic shape with high aspect ratio obtained thereby. There are sequentially performed the alignment configuration forming step of using a silicon wafer with face (110), forming configuration (4) for alignment having planes along two faces (111) being perpendicular to the substrate surface lying inside the wafer; the primary anisotropic etching step of forming vertical wall (6) with a wall face aligned on one of the faces (111); and the secondary anisotropic etching step of forming prism (8) with a wall face aligned on the other face (111) opposite to the vertical wall (6). As upon forming of alignment configuration having two faces (111), there are carried out the primary anisotropic etching aligned on one of the faces (111) and the secondary anisotropic etching aligned on the other face (111), digging out of the faces (111) can be accomplished accurately, and there can be obtained silicon prism (8) with a side wall accurately perpendicular to the top face.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un silicium ayant une forme prismatique selon un principe technologique tout à fait nouveau et sur un silicium ayant une forme prismatique avec un rapport hauteur/largeur élevé ainsi obtenu. On exécute séquentiellement l'étape de formation de configuration d'alignement consistant à utiliser une tranche de silicium avec la face (100), la formation de configuration (4) d'alignement ayant des plans le long de deux faces (111) qui sont perpendiculaires à la surface de substrat qui se trouve à l'intérieur de la tranche ; l'étape de gravure anisotrope primaire consistant à former une paroi verticale (6) avec une face de paroi alignée sur l'une des faces (111) ; et l'étape de gravure anisotrope secondaire consistant à former un prisme (8) avec une face de paroi alignée sur l'autre face (111) opposée à la paroi verticale (6). Lors de la formation de la configuration d'alignement ayant deux faces (111), on effectue la gravure anisotrope primaire alignée sur l'une des faces (111) et la gravure anisotrope secondaire alignée sur l'autre face (111). Le creusement des faces (111) peut être réalisé de manière précise et on peut obtenir un prisme de silicium (8) avec une paroi latérale précisément perpendiculaire à la face supérieure.
(JA)全く新たな技術原理に基づくシリコン角柱の製法と、それにより得られた高アスペクト比のシリコン角柱を提供する。(110)面のシリコンウエハを用い、その内部にある基板表面に垂直な二つの(111)面に沿った面を有するアライメント用形状4を形成するアライメント形状形成工程と、一方の(111)面にアライメントした壁面を有する垂直壁6を形成する第1次異方性エッチング工程と、垂直壁6に対し他方の(111)面にアライメントした壁面を有する角柱8を形成する第2次異方性エッチング工程とを順に実行する。二つの(111)面を有するアライメント形状を形成したうえで、一方の(111)面にアライメントした第1次異方性エッチングと他方の(111)面にアライメントした第2次異方性エッチングにより行うので、正確に(11l)面を掘り出すことができ、天面に対し正確に垂直になった側壁を有するシリコン角柱8が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)