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1. (WO2008114363) 半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/114363    国際出願番号:    PCT/JP2007/055427
国際公開日: 25.09.2008 国際出願日: 16.03.2007
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASHIMOTO, Yukihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HASHIMOTO, Yukihiro; (JP)
代理人: MATSUKURA, Hidemi; Acropolis 21 Building 6th floor 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)An apparatus for semiconductor device production in which the amount of a feed gas to be blown is regulated according to the position over which the feed gas is blown. It is an apparatus (1) for semiconductor device production in which a feed gas is fed into a chamber (3) having a semiconductor wafer (2) placed therein to deposit a thin film on the surface of the semiconductor wafer (2) based on a catalyzed chemical reaction. It comprises the chamber (3) for placing a semiconductor wafer (2) therein, a feed gas supply means (4) with which a feed gas which is a raw material for the thin film is sent into the chamber (3), and a gas-blowing means (5) which has a gas-blowing opening through which the feed gas sent from the feed gas supply means (4) is blown against the surface of the semiconductor wafer (2) placed in the chamber (3). The gas-blowing means (5) changes in the state of the gas-blowing opening according to the feed gas blowing position to thereby regulate the amount of the feed gas to be blown.
(FR)L'invention concerne un appareil de fabrication (1) d'un dispositif semi-conducteur dans lequel la quantité de gaz d'alimentation à souffler est régulée selon la position sur laquelle le gaz d'alimentation est soufflé. Un gaz d'alimentation est introduit dans une chambre (3) dans laquelle est placée une tranche semi-conductrice (2) qui dépose un film mince sur la surface de la tranche semi-conductrice (2) au moyen d'une réaction chimique catalysée. L'appareil comporte la chambre (3) dans laquelle est placée une tranche semi-conductrice (2) ; un moyen d'alimentation en gaz d'alimentation (4) qui fournit la chambre(3) en gaz d'alimentation constituant la matière première pour le film mince ; et un moyen de soufflage de gaz (5) muni d'une ouverture de soufflage de gaz à travers laquelle le gaz d'alimentation alimenté par le moyen d'alimentation en gaz d'alimentation (4) est soufflé contre la surface de la tranche semi-conductrice (2) placée dans la chambre (3). Selon la position de soufflage du gaz d'alimentation, le moyen de soufflage de gaz (5) change l'état de l'ouverture de soufflage de gaz et régule ainsi la quantité du gaz d'alimentation soufflée.
(JA) 原料ガスの吹き付け位置に応じて原料ガスの吹き付け量を調整する半導体装置の製造装置および製造方法を提供することを課題とする。半導体ウェハ2が収容されたチャンバー3内に原料ガスを供給し、化学触媒反応を利用して該半導体ウェハ2の表面に薄膜を堆積させる半導体製造装置1であって、前記半導体ウェハ2を収容するチャンバー3と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記チャンバー3内に送気する原料ガス供給手段4と、前記チャンバー3内に収容された前記半導体ウェハ2の表面に前記原料ガス供給手段4から送気される原料ガスを吹き付けるガス吹き出し口を有するガス吹き出し手段5であって、原料ガスの吹き付け位置に応じて該ガス吹き出し口の状態を変化させることにより該原料ガスの吹き付け量を調整するガス吹き出し手段5と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)