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1. (WO2008111286) 縦型熱処理用ボートおよび半導体ウエーハの熱処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/111286    国際出願番号:    PCT/JP2008/000384
国際公開日: 18.09.2008 国際出願日: 28.02.2008
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Takeshi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2007-061632 12.03.2007 JP
発明の名称: (EN) VERTICAL HEAT-TREATING BOAT, AND SEMICONDUCTOR WAFER HEAT-TREATING METHOD
(FR) NACELLE DE TRAITEMENT THERMIQUE VERTICALE, ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
(JA) 縦型熱処理用ボートおよび半導体ウエーハの熱処理方法
要約: front page image
(EN)Provided is a vertical heat-treating boat comprising at least four supporting portions for supporting each object substrate horizontally, and support aiding members removably mounted individually at the four supporting portions for placing the object substrate thereon. The vertical heat-treating boat is characterized in that the flatness obtained from all the faces of the individual support aiding members for placing the object substrate thereon is adjusted either by adjusting the thicknesses of the support aiding members in accordance with the shapes of the four or more supporting portions or by interposing spacers between the supporting portions and the support aiding members. Thus, there is provided not only the vertical heat-treating boat but also a semiconductor wafer heat-treating method, in which the flatness for the support of the object substrate can be easily improved, when the object substrate such as a semiconductor wafer is heat-treated by a vertical heat-treating furnace, thereby to prevent the occurrence of a slip dislocation effectively.
(FR)L'invention concerne une nacelle de traitement thermique verticale comprenant au moins quatre parties de support pour supporter chaque substrat objet de façon horizontale, et des éléments d'aide au support montés de façon amovible individuellement aux quatre parties de support pour placer le substrat objet sur ceux-ci. La nacelle de traitement thermique verticale est caractérisée par le fait que la planéité obtenue à partir de toutes les faces des éléments d'aide au support individuels pour placer le substrat objet sur ceux-ci est ajustée soit par l'ajustement des épaisseurs des éléments d'aide au support conformément aux formes des quatre parties de support ou plus, soit par interposition d'espaceurs entre les parties de support et les éléments d'aide au support. Ainsi, l'invention concerne non seulement la nacelle de traitement thermique verticale, mais encore un procédé de traitement thermique de tranche semiconductrice, dans lequel la planéité pour le support du substrat objet peut être facilement améliorée, lorsque le substrat objet, tel qu'une tranche semiconductrice, est traité par chaleur par un four de traitement thermique vertical, permettant ainsi d'empêcher l'apparition d'une dislocation par glissement de manière efficace.
(JA) 本発明は、少なくとも、被処理基板を水平に支持するための支持部を、支持する被処理基板一枚あたりで4つ以上有しており、該4つ以上の支持部には、各々、前記被処理基板が載置される支持補助部材が着脱可能に装着されている縦型熱処理用ボートであって、前記4つ以上の支持部の各々の形状に合わせて、前記支持補助部材の厚さを調節するか、前記支持部と前記支持補助部材との間にスペーサを介在させることによって、前記被処理基板が載置される各々の支持補助部材の面全てから得られる平面度が調整されているものであることを特徴とする縦型熱処理用ボートである。これにより、縦型熱処理炉により半導体ウエーハ等の被処理基板を熱処理する際、被処理基板の支持における平面度を容易に改善することができ、スリップ転位の発生を効果的に防止することが可能な縦型熱処理用ボートおよび半導体ウエーハの熱処理方法が提供される。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)