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1. (WO2008111205) 半導体装置の製造方法、ウエハ、及びウエハの洗浄装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/111205    国際出願番号:    PCT/JP2007/055194
国際公開日: 18.09.2008 国際出願日: 15.03.2007
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKAWA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKAWA, Masayuki; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F, 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER AND WAFER CLEANING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, TRANCHE ET APPAREIL DE NETTOYAGE DE TRANCHE
(JA) 半導体装置の製造方法、ウエハ、及びウエハの洗浄装置
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing a semiconductor device, in which the occurrence of defective goods by static buildup at the cleaning of wafer surface can be suppressed; a relevant method of wafer cleaning and cleaning apparatus; and a wafer suitable therefor. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The process for producing a semiconductor device comprises the pattern forming step of forming circuit patterns on a wafer in its partitioned areas; the cleaning step of cleaning the wafer surface by applying a jet of cleaning liquid thereto while rotating the wafer provided with the circuit patterns; the cutting out step of cutting out waferpieces by partitions; and the separation step of, defining as a static buildup countermeasure zone a zone containing a region within a given radius from the center of rotation where charges occurring on the wafer at the cleaning step are likely to accumulate, cutting out the static buildup countermeasure zone and removing the same from semiconductor chips as a product.
(FR)L'invention vise à proposer un procédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur, dans lequel l'occurrence de matières de défaut par accumulation statique au niveau du nettoyage d'une surface de tranche peut être supprimée, un procédé apparent de nettoyage de tranche et un appareil de nettoyage ; et une tranche appropriée pour ceux-ci. A cet effet, le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend l'étape de formation de motifs consistant à former des motifs de circuit sur une tranche sur ses zones partitionnées ; l'étape de nettoyage consistant à nettoyer la surface de tranche par l'application d'un jet de liquide de nettoyage sur celle-ci tout en faisant tourner la tranche dotée des motifs de circuit ; l'étape de découpe consistant à découper des morceaux de tranche par des partitions ; et l'étape de séparation, ayant défini en tant que zone de contre-mesure contre l'accumulation statique une zone contenant une région à l'intérieur d'un rayon donné à partir du centre de rotation ou des charges apparaissant sur la tranche à l'étape de nettoyage sont susceptibles de s'accumuler, consistant à découper la zone de contre-mesure contre l'accumulation statique et à retirer celle-ci des puces semiconductrices en tant que produit.
(JA)【課題】ウエハ表面洗浄時の帯電による不良品の発生を抑えた半導体装置の製造方法、ウエハの洗浄方法、洗浄装置、及びこれらに適したウエハを提供する。 【解決手段】ウエハ上に区画された領域に回路パターンを形成するパターン形成工程と、前記回路パターンが形成されたウエハを回転させながら洗浄液を噴射してウエハの表面を洗浄する洗浄工程と、前記ウエハを区画ごとに切り出す切り出し工程と、前記ウエハ上で前記洗浄工程の際に発生する電荷が蓄積しやすい回転の中心から所定の半径内の領域を含む区画を帯電対策区画とし、その帯電対策区画を切り出して製品となる半導体チップから除去する分離工程と、を備えた半導体装置の製造方法による。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)