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1. (WO2008111203) レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/111203    国際出願番号:    PCT/JP2007/055145
国際公開日: 18.09.2008 国際出願日: 14.03.2007
IPC:
G03F 7/075 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOZAWA, Miwa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOZAKI, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOZAWA, Miwa; (JP).
NOZAKI, Koji; (JP)
代理人: HIROTA, Koichi; HIROTA, NAGARE & ASSOCIATES 4th Floor, Shinjuku TR Bldg. 2-2-13, Yoyogi, Shibuya-ku Tokyo 1510053 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, AND PROCESS FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSIST, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)A resist composition that in the technology of liquid immersion exposure, inhibits leaching into a liquid immersion medium and avoids performance deterioration, thereby attaining forming of a fine resist pattern; and, using the resist composition, a method of forming a resist pattern and process for manufacturing an electronic device. There is provided a resist composition for use in liquid immersion exposure, comprising at least a silicon compound having at least an optionally substituted alkali-soluble group and a resin having an alkali-soluble group optionally substituted with an acid elimination group.
(FR)L'invention concerne une composition de résist qui, dans la technologie d'exposition par immersion dans un liquide, inhibe la lixiviation dans un milieu d'immersion liquide et évite la détérioration de la performance, permettant ainsi d'atteindre la formation d'un motif de résist fin ; et l'invention concerne également, à l'aide de la composition de résist, un procédé de formation d'un motif de résist et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Il est proposé une composition de résist destinée à être utilisée dans une exposition par immersion dans un liquide, comprenant au moins un composé de silicone ayant au moins un groupe soluble dans les alcalis facultativement substitué et une résine ayant un groupe soluble dans les alcalis facultativement substitué par un groupe d'élimination d'acide.
(JA) 液浸露光技術において、前記液浸媒体への溶出を抑制し、性能低下がなく、微細なレジストパターンを形成可能なレジスト組成物、それを用いたレジストパターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。  本発明のレジスト組成物は、液浸露光用であって、置換基で置換されていてもよいアルカリ可溶性基を少なくとも有するケイ素化合物と、酸脱離基で置換されていてもよいアルカリ可溶性基を有する樹脂と、を少なくとも含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)