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1. (WO2008108381) III族窒化物結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/108381    国際出願番号:    PCT/JP2008/053892
国際公開日: 12.09.2008 国際出願日: 27.02.2008
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1830057 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7450053 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOUKITU, Akinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGASHIMA, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANAGI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
NAGASHIMA, Toru; (JP).
TAKADA, Kazuya; (JP).
YANAGI, Hiroyuki; (JP)
代理人: OHSHIMA, Masataka; Ohshima Patent Office, BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2007-052675 02.03.2007 JP
2007-091218 30.03.2007 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III
(JA) III族窒化物結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a process for producing a group III nitride crystal, which can eliminate the need to adopt an MOVPE process and can use an inexpensive starting material to reduce the production cost and, at the same time, can produce an aluminum-type group III nitride crystal layer having a smooth surface and good crystallinity through the adoption of only a HVPE process which can realize high-speed film formation. A group III nitride crystal is produced by an HVPE process comprising the step of bringing a heated single crystal substrate into contact with a starting gas containing a compound containing a halide of a group III element and a nitrogen atom for vapor growth of a group III nitride crystal layer on the single crystal substrate. In this case, an intermediate layer is formed by vapor growth of a group III nitride crystal on a single crystal substrate heated to a temperature of 1000°C or above and below 1200°C. Subsequently, the temperature of the intermediate layer on the substrate is brought to 1200°C or above, and the group III nitride crystal is further formed by vapor growth on the intermediate layer.
(FR)Cette invention porte sur un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure d'élément du Groupe III, qui permet d'éliminer le besoin d'adopter un procédé MOVPE et peut utiliser une matière de départ bon marché pour réduire le coût de production et, en même temps, permet de produire une couche de cristal de nitrure d'élément du Groupe III du type aluminium ayant une surface lisse et une bonne cristallinité par l'adoption de seulement un procédé HVPE qui peut réaliser une formation de film à haute vitesse. Un cristal de nitrure d'élément du Groupe III est obtenu par un procédé HPVE comprenant l'étape consistant à amener un substrat monocristal chauffé en contact avec un gaz de départ contenant un composé contenant un halogénure d'élément de Groupe III et un atome d'azote pour une croissance en phase vapeur d'une couche de cristal de nitrure d'élément du Groupe III sur le substrat monocristal. Dans ce cas, une couche intermédiaire est formée par croissance en phase vapeur d'un cristal de nitrure d'un élément du Groupe III sur un substrat monocristal chauffé à une température de 1000°C ou plus et au-dessous de 1200°C. Par la suite, la température de la couche intermédiaire sur le substrat est amenée à 1200°C ou plus, et le cristal de nitrure de l'élément du groupe III est encore formé par croissance en phase vapeur sur la couche intermédiaire.
(JA)MOVPE法を採用することなく、安価な原料が使用できるために製造コストが安くしかも高速成膜が可能なHVPE法のみを採用することによって表面が平滑で結晶性が良好なアルミニウム系III族窒化物結晶層を得ることができる方法を提供する。加熱された単結晶基板と、III族ハロゲン化物及び窒素原子を含む化合物を含有する原料ガスとを接触させて該単結晶基板上にIII族窒化物結晶層を気相成長させる工程を含むHVPE法によりIII族窒化物結晶を製造するに当たり、1,000℃以上1,200℃未満の温度に加熱された単結晶基板上にIII族窒化物結晶を気相成長させて中間層を形成してから基板上の中間層の温度を1,200℃以上とし、該中間層上にさらにIII族窒化物結晶を気相成長させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)