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1. (WO2008105378) III族窒化物半導体電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/105378    国際出願番号:    PCT/JP2008/053223
国際公開日: 04.09.2008 国際出願日: 26.02.2008
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ANDO, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA, Tatsuo; (JP).
ANDO, Yuji; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
INOUE, Takashi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2007-049350 28.02.2007 JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR FORMED FROM NITRIDE OF AN ELEMENT BELONGING TO GROUP-III ON THE PERIODIC TABLE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP D'UN SEMI-CONDUCTEUR FORMÉ À PARTIR DE NITRURE D'UN ÉLÉMENT APPARTENANT AU GROUPE III SUR LE TABLEAU PÉRIODIQUE
(JA) III族窒化物半導体電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device which can reduce the contact resistance, has a small current collapse, and can improve the pinch-off characteristic upon a high-frequency operation. A field effect transistor using a wurtzite (having (0001) as the main plane) type nitride of an element belonging to Group-III on the periodic table includes: a substrate (101); an undercoat layer (103) of a first semiconductor formed from a nitride of an element belonging to Group-III; and a carrier travel layer (104) of a second semiconductor formed from a nitride of an element belonging to Group-III. The undercoat layer (103) is formed on the substrate (101) and the carrier travel layer (104) is formed on the undercoat layer (103). The field effect transistor includes source/drain electrodes (105, 106) in ohmic contact directly or via another layer and a gate electrode (107) in shot-key contact directly or via another layer. The source/drain electrodes (105, 106) and the gate electrode (107) are formed on the carrier travel layer (104). The undercoat layer (103) has an average lattice constant greater than that of the carrier travel layer (104). The undercoat layer (103) has a band gap greater than that of the carrier travel layer (104).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui peut réduire la résistance de contact, a une faible chute de courant, et peut améliorer la caractéristique de pincement lors d'un fonctionnement à haute fréquence. Un transistor à effet de champ utilisant un nitrure de type wurtzite (ayant (0001) en tant que plan principal) d'un élément appartenant au Groupe III sur le tableau périodique comprend : un substrat (101); une sous-couche (103) d'un premier semi-conducteur formé à partir d'un nitrure d'un élément appartenant au Groupe III; et une couche de déplacement de porteurs (104) d'un second semi-conducteur formé à partir d'un nitrure d'un élément appartenant au Groupe III. La sous-couche (103) est formée sur le substrat (101) et la couche de déplacement de porteurs (104) est formée sur la sous-couche (103). Le transistor à effet de champ comprend des électrodes de source/drain (105, 106) en contact ohmique directement ou par l'intermédiaire d'une autre couche et une électrode de grille (107) en contact de type diode Schottky directement ou par l'intermédiaire d'une autre couche. Les électrodes de source/drain (105, 106) et l'électrode de grille (107) sont formées sur la couche de déplacement de porteurs (104). La sous-couche (103) a une constante de réseau moyenne supérieure à celle de la couche de déplacement de porteurs (104). La sous-couche (103) a une bande interdite supérieure à celle de la couche de déplacement de porteurs (104).
(JA) コンタクト抵抗を低減し、電流コラプスが小さく、かつ高周波動作時のピンチオフ特性を向上できる本発明の半導体装置は、(0001)面を主面とするウルツ鉱型III族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、基板(101)上に少なくとも、第一のIII族窒化物半導体からなる下地層(103)、第二のIII族窒化物半導体からなるキャリア走行層(104)がこの順に積層されており、キャリア走行層(104)上に、直接又は他の層を介してオーミック接触するソース・ドレイン電極(105,106)および、直接又は他の層を介してショットキ接触するゲート電極(107)を有し、下地層(103)の平均格子定数がキャリア走行層(104)の平均格子定数よりも大きく、かつ下地層(103)のバンドギャップがキャリア走行層(104)のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)