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1. (WO2008105315) 磁気メモリチップ装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/105315    国際出願番号:    PCT/JP2008/052976
国際公開日: 04.09.2008 国際出願日: 21.02.2008
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: Renesas Technology Corp. [JP/JP]; 6-2, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MISUMI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOGA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKIYAMA, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAKAMI, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MISUMI, Kazuyuki; (JP).
SHIMIZU, Masahiro; (JP).
KOGA, Tsuyoshi; (JP).
AKIYAMA, Tatsuhiko; (JP).
MURAKAMI, Tomohiro; (JP)
代理人: TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
優先権情報:
2007-047822 27.02.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY CHIP DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE PUCE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリチップ装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a magnetic memory chip device is provided with a step of writing information on a plurality of magnetic memory chips formed on a silicon wafer; a step of adhering a high permeability plate, which is composed of a material having permeability higher than that of silicon and has a thickness of 50&mgr;m or more, on the rear surface of a silicon wafer after writing the information; and a step of dicing the silicon wafer into magnetic memory chips after adhering the high permeability plate.
(FR)Un procédé pour la fabrication d'un dispositif de puce mémoire magnétique comporte une étape d'écriture d'informations sur une pluralité de puces mémoire magnétiques formées sur une tranche de silicium ; une étape d'adhésion d'une plaque de perméabilité élevée, qui est composé d'un matériau ayant une perméabilité supérieure à celle du silicium et a une épaisseur de 50 µm ou plus, sur la surface arrière d'une tranche de silicium après écriture des informations ; et une étape de quadrillage de la tranche de silicium en puces mémoire magnétiques après adhésion de la plaque de perméabilité élevée.
(JA)本発明に係る磁気メモリチップ装置の製造方法は、シリコンウェハ上に形成した複数の磁気メモリチップにそれぞれ情報を書き込む工程と、情報を書き込んだ後に、シリコンウェハの裏面に、シリコンよりも透磁率が高い物質からなる厚さ50μm以上の高透磁率板を貼り付ける工程と、高透磁率板を貼り付けた後に、磁気メモリチップごとにシリコンウェハをダイシングする工程とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)