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1. (WO2008105266) 電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/105266    国際出願番号:    PCT/JP2008/052740
国際公開日: 04.09.2008 国際出願日: 19.02.2008
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ENOMOTO, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAGUCHI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Rikimaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ENOMOTO, Tomoyuki; (JP).
SAKAGUCHI, Takahiro; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
NAGAI, Masaki; (JP)
代理人: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
優先権情報:
2007-046922 27.02.2007 JP
発明の名称: (EN) RESIST LOWER LAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR ELECTRON LITHOGRAPHY
(FR) COMPOSITION FORMANT UN FILM DE COUCHE PRIMAIRE DE RÉSIST POUR LITHOGRAPHIE ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a resist lower layer film composition for electron lithography, which is to be used in a device manufacturing process using electron lithography, reduces adverse effects due to electron beams and is effective for obtaining an excellent resist pattern, and to provide a resist pattern forming method wherein such composition is used. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The resist lower layer film forming composition for electron lithography contains a polymeric compound, which has a repeated unit structure containing halogen atoms, and a solvent. The composition is used for manufacturing semiconductor devices, by being formedbetween a process target film, which forms a transfer pattern on a substrate, and an electron lithography resist film. The polymeric compound contains at least halogen atoms of 10 mass %.
(FR)L'invention propose une composition formant un film de couche primaire de résist pour lithographie électronique. Ladite composition est utilisée dans un procédé de fabrication de dispositif pour lithographie électronique qui réduit les effets défavorables causés par les faisceaux d'électrons et est efficace pour obtenir un excellent motif de résist. L'invention propose également un procédé de formation de motif de résist utilisant ladite composition. A cet effet, la composition de formation de film de couche primaire de résist pour lithographie électronique contient un composé polymère dont la structure d'unités répétitives contient des atomes d'halogène et un solvant. Ladite composition est utilisée pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs en étant formée entre un film cible du procédé qui forme un motif de transfert sur un substrat ainsi que pour fabriquer un film de résist pour lithographie électronique. Le composé polymère contient au moins 10 % en masse d'atomes d'halogène.
(JA)【課題】 電子線リソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられ、電子線によって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効な電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物、並びに該電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物を用いるレジストパターン形成法を提供する 【解決手段】  ハロゲン原子を含有する繰り返し単位構造を有する高分子化合物及び溶媒を含む電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であり、基板上の転写パターンを形成する加工対象膜と電子線リソグラフィー用レジスト膜の間に成膜されて用いられ、半導体デバイス製造に使用される。前記高分子化合物は、少なくとも10質量%のハロゲン原子を含有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)