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1. (WO2008105204) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/105204    国際出願番号:    PCT/JP2008/051090
国際公開日: 04.09.2008 国際出願日: 25.01.2008
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WANG, Wensheng [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WANG, Wensheng; (JP)
代理人: KAWAKAMI, Koji; OWA PATENT FIRM, 9th Floor, Iriye Building 76-2, Kyo-machi, Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6500034 (JP)
優先権情報:
PCT/JP2007/053836 28.02.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a semiconductor device which can realize improved crystallinity of a capacitor upper electrode constituting a ferroelectric capacitor. The capacitor upper electrode comprises a first layer (57), a second layer (58) provided on the first layer (57), and a third layer (59) provided on the second layer (58). The first layer is formed of a first oxide represented by chemical formula AOx1, wherein x1 represents a composition parameter and A represents a metallic element and having an actual composition represented by chemical formula AOx2, wherein x2 represents a composition parameter and A represents ametallic element. The second oxide is formed of a second oxide represented by chemical formula BOy1, wherein y1 represents a composition parameter and B represents a metallic element, and having an actual composition represented by chemical formula BOy2, wherein y2 represents a composition parameter and B represents a metallic element. The second layer (58) comprises crystals joined to one another in a stone wall form or a columnar form. In the second layer (58), the degree of oxidation is higher than that in the first layer (57). A relationship represented by (y2/y1) > (x2/x1)is established. The third layer (59) is formed of a noble metal film or a noble metal-containing alloy or its oxide.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur qui donne une meilleure cristallinité à une électrode supérieure de condensateur constituant un condensateur ferroélectrique. L'électrode supérieure de condensateur comprend une première couche (57), une deuxième couche (58) disposée sur la première, et une troisième couche (59) placée sur la deuxième. La première couche est constituée d'un premier oxyde représenté par la formule chimique AOx1, où x1 est un paramètre de composition et A un élément métallique, et dont la composition réelle est représentée par la formule chimique AOx2, où x2 est un paramètre de composition et A un élément métallique. La seconde couche est constitué d'un second oxyde représenté par la formule chimique BOy1, où y1 est un paramètre de composition et B un élément métallique, et dont la composition réelle est représentée par la formule chimique BOy2, où y2 est un paramètre de composition et B un élément métallique. La deuxième couche (58), dont le degré d'oxydation est supérieur à celui de la première couche (57), comprend des cristaux assemblés pour former un mur ou une colonne. La relation suivante est établie : (y2/y1) > (x2/x1). De plus, la troisième couche (59) est constituée d'un alliage contenant dumétal noble, de son oxyde ou d'un film de métal noble.
(JA)強誘電体キャパシタを構成するキャパシタ上部電極の結晶性を改善すること。キャパシタ上部電極は、組成パラメータx1を使って化学式AOx1(A:金属元素)で表され実際の組成が組成パラメータx2を使って化学式AOx2で表される第1酸化物よりなる第1の層57と、第1の層57上に形成され、組成パラメータy1を使って化学式BOy1で表され実際の組成が組成パラメータy2を使って化学式BOy2(B:金属元素)で表される第2酸化物であって、石垣状或いは柱状に接合される結晶からなり、第1の層57より酸化の割合が高く構成され、組成パラメータx1、x2、y1およびy2の間には、関係(y2/y1)>(x2/x1)が成立する第2の層58と、第2の層58上に形成され且つ貴金属膜又は貴金属を含む合金或いはそれらの酸化物よりなる第3の層59とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)