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1. (WO2008105136) シリコン単結晶ウエーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/105136    国際出願番号:    PCT/JP2008/000070
国際公開日: 04.09.2008 国際出願日: 24.01.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), H01L 21/26 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYAMIZU, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Hiroyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAYAMIZU, Yoshinori; (JP).
KIKUCHI, Hiroyasu; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2007-045956 26.02.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶ウエーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a silicon single crystal wafer. Rapid heat treatment is performed to a silicon single crystal wafer, which is manufactured by Czochralski method and has an entire surface in the diameter direction as an N region, under oxidizing atmosphere. Then, an oxide film formed by the rapid heat treatment under the oxidizing atmosphere is removed, and rapid heat treatment is performed to the wafer under nitriding atmosphere or Ar atmosphere or the mixed atmosphere of them. Thus, the silicon single crystal wafer having a DZ layer on the wafer surface and excellent device characteristics, and at the same time, permitting oxygen precipitate that functions as a gettering site to be sufficiently formed within a bulk region, is manufactured at low cost.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de monocristal de silicium. Un traitement de chauffage rapide est effectué sur une tranche de monocristal de silicium qui est fabriquée par le procédé de Czochralski et présente une surface entière dans la direction du diamètre en tant que région N, sous atmosphère oxydante. Ensuite, un film d'oxyde formé par le traitement de chauffage rapide sous l'atmosphère oxydante est retiré, et un traitement de chauffage rapide est effectué sur la tranche dans une atmosphère nitrurante ou une atmosphère d'Ar ou l'atmosphère mixte de celles-ci. On fabrique ainsi à faible coût la tranche de monocristal de silicium ayant une couche DZ sur la surface de la tranche et d'excellentes caractéristiques de dispositif, et, en même temps, permettant qu'un précipité d'oxygène qui agit comme site de sorption par getter soit formé de façon suffisante à l'intérieur d'une région en vrac.
(JA) 本発明は、シリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、チョクラルスキー法により作製した径方向の全面がN領域のシリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で急速熱処理し、該酸化性雰囲気下の急速熱処理で形成された酸化膜を除去してから、窒化性雰囲気、Ar雰囲気、またはこれらの混合雰囲気下で急速熱処理するシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。これにより、ウエーハ表層にDZ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)