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1. (WO2008102738) 真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法

Pub. No.:    WO/2008/102738    International Application No.:    PCT/JP2008/052677
Publication Date: Fri Aug 29 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Tue Feb 19 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 21/205
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
三菱重工業株式会社
KAWAMURA, Keisuke
川村 啓介
MASHIMA, Hiroshi
真島 浩
Inventors: KAWAMURA, Keisuke
川村 啓介
MASHIMA, Hiroshi
真島 浩
Title: 真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法
Abstract:
 製膜特性を容易に調整し、かつ、各製膜室における製膜特性の差の発生を抑制するとともに、設備コストの低減を図ることができる真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法を提供する。電源部(17a)から高周波電力が両端部(53)に供給され、基板(8)との間にプラズマを形成する複数の放電電極(3aから3h)と、複数の放電電極(3aから3h)に供給される高周波電力の位相および振幅を、両端部53のそれぞれにおいて調節する複数の整合器(3atから3ht)と、を備え、複数の整合器(3atから3ht)のインピーダンスが略同一な値に設定され、インピーダンスの値は、複数の放電電極(3aから3h)のうちの一の放電電極における電源部(17a)への反射電力が略最小になる値であることを特徴とする。