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1. (WO2008102718) 半導体記憶装置

Pub. No.:    WO/2008/102718    International Application No.:    PCT/JP2008/052614
Publication Date: Fri Aug 29 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Tue Feb 19 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 27/10
G11C 13/00
H01L 45/00
H01L 49/00
Applicants: NEC CORPORATION
日本電気株式会社
ITO, Kimihiko
伊藤 仁彦
Inventors: ITO, Kimihiko
伊藤 仁彦
Title: 半導体記憶装置
Abstract:
 第1の電極と、この第1の電極に接して設けられた電流経路用領域と、この電流経路用領域に接して設けられた第2の電極とを有する抵抗変化素子を備えた半導体記憶装置であって、前記電流経路用領域は、第1の金属元素を含有し、電圧の印加により抵抗率が変化する抵抗変化材料からなる第1の領域と、前記抵抗変化材料に第2の金属元素が添加され、第1の領域より抵抗率が高く、且つ第1の領域の抵抗を変化させる電圧の印加では抵抗率が変化しない第2の領域とからなり、第1の領域は、第1の電極と第2の電極との間に電流経路が形成されるように、これら両電極に接し且つ一方の電極側から他方の電極側にわたって設けられ、第2の領域は、一方の電極側から他方の電極側にわたる電流経路用領域の少なくとも一部分において第1の領域の外側に設けられている。