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1. (WO2008102595) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2008/102595    International Application No.:    PCT/JP2008/050827
Publication Date: Fri Aug 29 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Wed Jan 23 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 29/786
H01L 21/8238
H01L 27/08
H01L 27/092
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
MORIWAKI, Hiroyuki
森脇 弘幸
Inventors: MORIWAKI, Hiroyuki
森脇 弘幸
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
 第1半導体層を有するp型TFTと、第2半導体層を有するn型TFTとを備え、第1半導体層の外縁部分の少なくとも一部には、絶縁性基板側へテーパ状に広がる傾斜部が形成され、第1半導体層の内側に形成される角度であって絶縁性基板の表面に対する傾斜部表面の傾斜角度は、第2半導体層の内側に形成される角度であって絶縁性基板の表面に対する第2半導体層の外縁部分側面の角度よりも小さい。