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1. (WO2008102438) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2008/102438    International Application No.:    PCT/JP2007/053138
Publication Date: Fri Aug 29 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Thu Feb 22 00:59:59 CET 2007
IPC: H01L 21/8246
H01L 27/105
Applicants: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
NAGAI, Kouichi
永井 孝一
Inventors: NAGAI, Kouichi
永井 孝一
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
第1の層間絶縁膜121を形成した後、その上にSiONからなるエッチングストッパ膜122を形成する。次に、エッチングストッパ膜122の上面から高濃度不純物領域118に到達する第1のコンタクトホールを形成し、Wを充填してプラグ124を形成する。その後、強誘電体キャパシタ131及び第2の層間絶縁膜132等を形成した後、第2の層間絶縁膜132の上面からプラグ124に到達する第2のコンタクトホールを形成し、Wを充填してプラグ134を形成する。エッチングストッパ膜122により、第2のコンタクトホールに位置ずれが発生しても、第1の層間絶縁膜121がエッチングされず、水分や不純物が溜まる窪みが発生しない。