WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2008099949) 電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099949    国際出願番号:    PCT/JP2008/052602
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 12.02.2008
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/207 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAZAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIKAWA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATA, Masahiko; (JP).
SAZAWA, Hiroyuki; (JP).
NISHIKAWA, Naohiro; (JP)
代理人: NAKAYAMA, Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
2007-036626 16.02.2007 JP
(JA) 電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板
要約: front page image
(EN)Provided is an epitaxial substrate for a field effect transistor. In the epitaxial substrate, a nitride-based group 3-5 semiconductor epitaxial crystal, containing Ga, is arranged between a base substrate and an operation layer, and the nitride-based group 3-5 semiconductor epitaxial crystal contains the following layers (i, ii, iii); (i) a first buffer layer which contains Ga or Al and a high resistance crystal layer added with a compensating impurity element of the same period as Ga on the periodic table and has a small atomic number, (ii) a second buffer layer, which is stacked on the operation layer side of the first buffer layer and contains Ga or Al, and (iii) a high-purity epitaxial crystal layer, which is arranged between the high resistance crystal layer and the operation layer, and has no additive or contains an acceptor impurity of such a small quantity as to maintain the depletion state.
(FR)L'invention propose un substrat épitaxial pour un transistor à effet de champ. Dans le substrat épitaxial, un cristal épitaxial de semi-conducteur à base de nitrure du groupe 3-5, contenant du Ga, est agencé entre un substrat de base et une couche de fonctionnement, et le cristal épitaxial de semi-conducteur à base de nitrure du groupe 3-5 contient les couches suivantes (i, ii, iii) ; (i) une première couche tampon qui contient du Ga ou du Al et une couche cristalline de résistance élevée ajoutée avec un élément d'impureté de compensation de la même période que Ga sur le tableau périodique et présentant un petit nombre atomique, (ii) une seconde couche tampon, qui est empilée sur le côté de couche de fonctionnement de la première couche tampon et qui contient du Ga ou du Al, et (iii) une couche cristalline épitaxiale de pureté élevée, qui est agencée entre la couche cristalline de résistance élevée et la couche de fonctionnement, et qui ne contient aucun additif ou contient une impureté de type accepteur en quantité suffisamment petite pour maintenir l'état d'appauvrissement.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)