WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008099901) ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099901    国際出願番号:    PCT/JP2008/052474
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 07.02.2008
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIKAWA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAZAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIKAWA, Naohiro; (JP).
SAZAWA, Hiroyuki; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
代理人: NAKAYAMA, Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited, 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
優先権情報:
2007-036625 16.02.2007 JP
発明の名称: (EN) GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) CRISTAL EPITAXIAL DE NITRURE DE GALLIUM, PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE ET TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed are: a gallium nitride epitaxial crystal; a method for producing the gallium nitride epitaxial crystal; and a field effect transistor. The gallium nitride epitaxial crystal comprises a substrate and the following components (a) to (e): (a) a gate layer; (b) a highly pure first buffer layer having a channel layer which is contacted with the interface with a surface of the gate layer facing toward the substrate; (c) a second buffer layer arranged on a surface of the first buffer layer facing toward the substrate; (d) a non-gallium nitride insulating layer which is arranged on a surface of the second buffer layer facing toward the substrate and which has an opening at a part thereof; and (e) a p-type semiconductor crystal layer arranged on a surface of the insulating layer facing toward the substrate. The gallium nitride epitaxial crystal further comprises a connection layer comprising a gallium nitride crystal at the opening of the non-gallium nitride insulating layer for connecting the first buffer layer to the p-type semiconductor crystal layer electrically.
(FR)L'invention concerne : un cristal épitaxial de nitrure de gallium ; un procédé de production de ce cristal ; et un transistor à effet de champ. Le cristal épitaxial de nitrure de gallium comprend un substrat et les composants (a) à (e) suivants : (a) une couche grille ; (b) une première couche tampon haute pureté comportant une couche canal mise en contact par l'interface avec une surface de la couche grille faisant face au substrat ; (c) une deuxième couche tampon disposée sur une surface de la première couche tampon faisant face au substrat ; (d) une couche isolante non-nitrure de gallium disposée sur une surface de la deuxième couche tampon faisant face au substrat et comportant une ouverture au niveau d'une de ses parties ; et (e) une couche de cristal semiconducteur de type p disposée sur une surface de la couche isolante faisant face au substrat. Le cristal épitaxial de nitrure de gallium selon l'invention comprend également une couche de connexion contenant un cristal de nitrure de gallium au niveau de l'ouverture de la couche isolante non-nitrure de gallium destinée à connecter électriquement la première couche tampon à la couche de cristal semiconducteur de type p.
(JA)本発明はガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタを提供する。ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶は、下地基板と、(a)~(e)とを含み、かつ第1の緩衝層とp伝導型半導体結晶層を電気的に接続するため、ガリウムナイトライド系結晶からなる接続層が、非ガリウムナイトライド系の絶縁層の開口部に配されている。(a)ゲート層、(b)ゲート層の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第1の緩衝層、(c)第1の緩衝層の下地基板側に配されている第2の緩衝層、(d)第2の緩衝層の下地基板側に配されており、その一部に開口部を有する非ガリウムナイトライド系の絶縁層、および(e)絶縁層の下地基板側に配されているp伝導型半導体結晶層。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)