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1. (WO2008099901) ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタ

Pub. No.:    WO/2008/099901    International Application No.:    PCT/JP2008/052474
Publication Date: Fri Aug 22 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Fri Feb 08 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
住友化学株式会社
NISHIKAWA, Naohiro
西川直宏
SAZAWA, Hiroyuki
佐沢洋幸
HATA, Masahiko
秦雅彦
Inventors: NISHIKAWA, Naohiro
西川直宏
SAZAWA, Hiroyuki
佐沢洋幸
HATA, Masahiko
秦雅彦
Title: ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタ
Abstract:
本発明はガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタを提供する。ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶は、下地基板と、(a)~(e)とを含み、かつ第1の緩衝層とp伝導型半導体結晶層を電気的に接続するため、ガリウムナイトライド系結晶からなる接続層が、非ガリウムナイトライド系の絶縁層の開口部に配されている。(a)ゲート層、(b)ゲート層の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第1の緩衝層、(c)第1の緩衝層の下地基板側に配されている第2の緩衝層、(d)第2の緩衝層の下地基板側に配されており、その一部に開口部を有する非ガリウムナイトライド系の絶縁層、および(e)絶縁層の下地基板側に配されているp伝導型半導体結晶層。