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1. (WO2008099643) 半導体レーザダイオード
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099643    国際出願番号:    PCT/JP2008/050849
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 23.01.2008
IPC:
H01S 5/323 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAMOTO, Kuniyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKAMOTO, Kuniyoshi; (JP).
OHTA, Hiroaki; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
2007-019914 30.01.2007 JP
2007-037147 16.02.2007 JP
2007-040074 20.02.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE
(FR) DIODE LASER SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体レーザダイオード
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser diode comprises a group III nitride semiconductor whose m-face is the major surface of crystal growth and has a group III nitride semiconductor multilayer structure where an n-type clad layer, a light-emitting layer, and a p-type clad layer are formed in the m-axis direction. It is preferable that the III group nitride semiconductor is formed by crystal growth on a GaN single crystal substrate, with the m-face used as the growth face. It is also preferable that the off angle of the major surface of the GaN single crystal substrate is within ±1°. It is further preferable that the group III nitride semiconductor multilayer structure does not include any stacking fault nor threading dislocation produced from the growth face of the GaN substrate.
(FR)Une diode laser semi-conductrice comprend un semi-conducteur de nitrure du groupe III dont la face m est la surface majeure de croissance cristalline et a une structure multicouches semi-conductrice de nitrure du groupe III où une couche de gaine de type n, une couche d'émission de lumière et une couche de gaine de type p sont formées dans la direction d'axe m. Il est préférable que le semi-conducteur de nitrure du groupe III soit formé par croissance cristalline sur un substrat monocristallin de GaN, avec la face m utilisée en tant que face de croissance. Il est également préférable que l'angle de décalage de la surface majeure du substrat monocristallin de GaN soit à l'intérieur de ±1°. Il est en outre préférable que la structure multicouches semi-conductrice de nitrure de groupe III ne comprenne aucun défaut d'empilement ni aucune dislocation traversante produit à partir de la face de croissance du substrat de GaN.
(JA) この半導体レーザダイオードは、m面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体からなり、m軸方向に、n型クラッド層、発光層、およびp型クラッド層を積層したIII族窒化物半導体積層構造を備えている。前記III族窒化物半導体は、m面を結晶成長のための成長面とするGaN単結晶基板上に結晶成長させたものであることが好ましい。また、前記GaN単結晶基板の主面のオフ角は±1°以内であることが好ましい。前記III族窒化物半導体積層構造は、前記GaN基板の成長面より生じた積層欠陥または貫通転位を含まないものであることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)