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1. (WO2008099620) 反射防止膜形成用組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2008/099620 国際出願番号: PCT/JP2008/050076
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 08.01.2008
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
澤野 敦 SAWANO, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
越山 淳 KOSHIYAMA, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
廣崎 貴子 HIROSAKI, Takako [JP/JP]; JP (UsOnly)
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
発明者:
澤野 敦 SAWANO, Atsushi; JP
越山 淳 KOSHIYAMA, Jun; JP
廣崎 貴子 HIROSAKI, Takako; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; 〒1700013 東京都豊島区東池袋1丁目25番8号 タカセビル本館 Tokyo Takase Bldg., 25-8, Higashi-ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
優先権情報:
2007-03530015.02.2007JP
2007-03530115.02.2007JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR ANTIREFLECTION FILM FORMATION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN WITH THE SAME
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM ANTIREFLET ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSIST AVEC CELLE-CI
(JA) 反射防止膜形成用組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法
要約:
(EN) A composition for antireflection film formation which is for use in forming an antireflection film on a resist film. The composition is easy to handle and forms no precipitate or the like after film formation. The composition for antireflection film formation, which is for use in forming an antireflection film on a resist film, contains at least a given fluorochemical surfactant and a given water-soluble film-forming ingredient. This composition is easy to handle, exerts no adverse influence on the health and environment, and forms no precipitate or the like even after antireflection film formation.
(FR) L'invention concerne une composition pour la formation d'un film antireflet qui est destinée à être utilisée dans la formation d'un film antireflet sur un film de résist. La composition est facile à manipuler et ne forme aucun précipité ou similaire après la formation du film. La composition pour la formation de film antireflet, qui est destinée à être utilisée dans la formation d'un film antireflet sur un film de résist, contient au moins un agent tensio-actif fluorochimique donné et un ingrédient de formation de film, soluble dans l'eau, donné. Cette composition est facile à manipuler, n'exerce aucune influence sur la santé et l'environnement, et ne forme aucun précipité ou similaire même après la formation d'un film antireflet.
(JA)  レジスト膜上に反射防止膜を形成する際に用いられる反射防止膜形成用組成物であって、取り扱い性が容易であり、膜形成後に析出物等を生じることのない反射防止膜形成用組成物を提供すること。  レジスト膜上に設けられる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成用組成物であって、少なくとも所定のフッ素系界面活性剤と所定の水溶性膜形成成分とを含有してなる反射防止膜形成用組成物。この反射防止膜形成用組成物は、取り扱いが容易であって、健康や環境に悪影響を及ぼすことがなく、反射防止膜を形成させた後においても析出物等を生じることがない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)