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1. (WO2008099526) 薄膜トランジスタ及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099526    国際出願番号:    PCT/JP2007/067050
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 31.08.2007
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: Advanced LCD Technologies Development Center Co., Ltd. [JP/JP]; 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2440817 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKADA, Takashi [JP/JP]; (米国のみ).
KAWACHI, Genshiro [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: OKADA, Takashi; .
KAWACHI, Genshiro;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-037029 16.02.2007 JP
2007-221417 28.08.2007 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタ及び表示装置
要約: front page image
(EN)Provided is a thin film transistor (11) comprising a crystal growth region having crystal-grown in two-dimensional directions on a plane, a source region (S) and a drain region (D) formed in the crystal growth region, and a gate electrode (G) formed through a gate insulating film over a channel region between the source region and the drain region. The thin film transistor is characterized in that the side end portion (E) of the channel region of the source region or the drain region is positioned at the position of 1 μm to 3.5 μm from a crystal growth starting position.
(FR)L'invention concerne un transistor en couche mince (11) comprenant une région de croissance cristalline ayant un cristal développé dans des directions bidimensionnelles sur un plan, une région de source (S) et une région de drain (D) formées dans la région de croissance cristalline, et une électrode de grille (G) formée à travers une couche d'isolation de grille sur une région de canal entre la région de source et la région de drain. Le transistor en couche mince est caractérisé par le fait que la partie d'extrémité latérale (E) de la région de canal de la région de source ou de la région de drain est placée à la position de 1 µm à 3,5 µm à partir d'une position de départ de croissance cristalline.
(JA) 平面上に二次元方向に結晶成長された結晶成長領域と、この結晶成長領域に形成されたソース領域(S)及びドレイン領域(D)と、これらソース領域とドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極(G)を有する薄膜トランジスタ(11)であり、前記ソース領域又はドレイン領域の前記チャネル領域の側端部(E)は、結晶成長開始位置から1μm~3.5μmの位置に位置合わせして設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)