WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008099524) 光電変換装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099524    国際出願番号:    PCT/JP2007/065386
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 06.08.2007
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKANO, Youji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEUCHI, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGUCHI, Kengo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAUCHI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKANO, Youji; (JP).
TAKEUCHI, Yoshiaki; (JP).
YAMAGUCHI, Kengo; (JP).
YAMAUCHI, Yasuhiro; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; Mitsubishijuko Yokohama Bldg. 24F 3-1, Minatomirai 3-chome, Nishi-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2200012 (JP)
優先権情報:
2007-036432 16.02.2007 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A photoelectric converter satisfying both high photoelectric conversion efficiency and high productivity, and its fabrication method. The photoelectric converter (90) has a substrate with a transparent electrode where a transparent electrode layer (2) is provided on a transparent insulating substrate (1), and at least a photoelectric conversion layer (92) principally comprising a crystalline silicon based semiconductor and a backside electrode layer (4) that are formed sequentially on the transparent electrode layer (2) side of the substrate with a transparent electrode. The transparent electrode layer (2) on the substrate with a transparent electrode has a surface shape where large and small protrusions and recesses coexist and spectral haze rate is 20% or above at the wavelength of 550-800 nm. The photoelectric conversion layer principally comprising the crystalline silicon based semiconductor has a film thickness of 1.2-2 &mgr;m, and a Raman ratio of 3.0-8.0.
(FR)L'invention concerne un convertisseur photoélectrique présentant à la fois un rendement de conversion photoélectrique élevé et une productivité élevée, et son procédé de fabrication. Le convertisseur photoélectrique (90) a un substrat avec une électrode transparente où une couche d'électrode transparente (2) est disposée sur un substrat d'isolation transparent (1), et au moins une couche de conversion photoélectrique (92) comprenant principalement un semi-conducteur à base de silicium cristallin et une couche d'électrode arrière (4) qui sont formées de façon séquentielle sur le côté couche d'électrode transparente (2) du substrat avec une électrode transparente. La couche d'électrode transparente (2) sur le substrat avec une électrode transparente a une forme de surface où des protubérances et des cavités grandes et petites coexistent et un niveau de voile spectral est de 20 % ou plus à la longueur d'onde de 550-800 nm. La couche de conversion photoélectrique comprenant principalement le semi-conducteur à base de silicium cristallin a une épaisseur de film de 1,2-2 µm, et un rapport de Raman de 3,0-8,0.
(JA) 高い光電変換効率と高い生産性を両立した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。透明絶縁性の基板1上に透明電極層2を設けてなる透明電極付き基板と、該透明電極付き基板の透明電極層2側に順次形成された、結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層92ならびに裏面電極層4とを少なくとも有してなる光電変換装置であって、前記透明電極付き基板の透明電極層2表面が、大小の凹凸が混在した形状であり、かつ分光ヘイズ率が550nm以上800nm以下の波長で20%以上であり、前記結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層の膜厚が1.2μm以上2μm以下、かつラマン比が3.0以上8.0以下である光電変換装置90を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)