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1. (WO2008099517) マイクロレンズ用金型、マイクロレンズおよびそれらの製法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/099517    国際出願番号:    PCT/JP2007/059011
国際公開日: 21.08.2008 国際出願日: 19.04.2007
予備審査請求日:    17.10.2007    
B29C 33/38 (2006.01), B29D 11/00 (2006.01), G02B 3/00 (2006.01), B29L 11/00 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KAGAWA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Saiwai-cho, Takamatsu-shi, Kagawa 7608521 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAMOTO, Kiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAMOTO, Kiichi; (JP)
代理人: YAMAUCHI, Yasunobu; Yamauchi Patent Attorney Nihon Seime-Takamatsu-Ekimae Bldg. 3F 1-1-8, Kotobuki-cho Takamatsu-shi, Kagawa 7600023 (JP)
2007-035666 16.02.2007 JP
(JA) マイクロレンズ用金型、マイクロレンズおよびそれらの製法
要約: front page image
(EN)A refractive microlens, mold for microlens production and process for producing them, realizing production of a mold with configuration just as designed and exhibition of high optical performance. There are sequentially performed the initial configuration step of forming recess (2) as initial configuration on substratum (1) of homogeneous material and the ion machining step of forming the recess (2) into spherical or cylindrical concave portion (3) by ion machining. The ion machining step is a riddance machining of, using a gas inert to the substratum (1) as ionization gas, exposing the substratum (1) to accelerated ion. The homogeneous material, when the substratum (1) is made of sapphire, has high melting point and high hardness, so that there can be obtained a mold for molding of all types of microlenses in contemporary use. Further, as the sapphire crystal has little defect, there can be obtained a mold with a surface free from defects.
(FR)La présente invention se rapporte à une microlentille réfractive, à un moule pour la production d'une microlentille et à un procédé pour la fabrication d'une microlentille, de façon à mener à bien la production d'un moule dont la configuration correspond à ce que l'on attend et qui est doté de performances optiques élevées. Des étapes sont réalisées en séquence qui comprennent : une étape de configuration initiale consistant à former un évidement (2) dans un matériau homogène de façon à réaliser une configuration initiale sur un substrat (1), et une étape d'usinage par bombardement électronique consistant à former l'évidement (2) dans une partie sphérique ou une partie concave cylindrique (3) au moyen d'un usinage par bombardement électronique. L'étape d'usinage par bombardement électronique se présente sous la forme d'un usinage par élimination qui consiste à : utiliser un gaz inerte sur le substrat (1) - le gaz inerte servant de gaz ionisant ; exposer le substrat (1) à un bombardement électronique accéléré. Quand le substrat (1) est constitué de saphir, le matériau homogène a un point de fusion élevé et une dureté élevée, ce qui permet ainsi d'obtenir un moule pour le moulage de tous types de microlentilles destinées à des applications courantes. D'autre part, comme le cristal saphir présente peu de défauts, le moule ainsi obtenu présente une surface exempte de tout défaut.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)