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国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2008/096700 国際出願番号: PCT/JP2008/051753
国際公開日: 14.08.2008 国際出願日: 04.02.2008
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人: NAGAMINE, Yoshinori[JP/JP]; JP (UsOnly)
WATANABE, Naoki[JP/JP]; JP (UsOnly)
CANON ANELVA CORPORATION[JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP (AllExceptUS)
発明者: NAGAMINE, Yoshinori; JP
WATANABE, Naoki; JP
代理人: OHTSUKA, Yasunori; 7th FL., KIOICHO PARK BLDG., 3-6, KIOICHO, CHIYODA-KU, Tokyo 1020094, JP
優先権情報:
2007-03005609.02.2007JP
発明の名称: (EN) OXIDATION METHOD AND OXIDATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'OXYDATION ET APPAREIL D'OXYDATION
(JA) 酸化処理方法及び酸化処理装置
要約:
(EN) In an oxidation method and an apparatus equipment where a plasma generation chamber having an inlet for an oxidizing gas is coupled with a substrate processing chamber having an exhaust opening and internally provided with a substrate mounting table through a partition board having many through holes, and a plasma of the oxidizing gas introduced into the plasma generation chamber is generated and active species thus created are introduced onto the substrate to form an oxide layer on the surface of the substrate, the partition board is coupled with a power supply through a switching mechanism such that a positive, negative or zero voltage is applied thereto, switching of voltage is performed at least once during oxidation and oxidation is performed while changing the ratios of radicals, positive ions and negative ions in the active species introduced onto the substrate.
(FR) Dans un procédé d'oxydation et un équipement d'appareil où une chambre de génération de plasma ayant une entrée pour un gaz d'oxydation est couplée avec une chambre de traitement de substrat ayant une ouverture d'échappement et dotée de manière interne d'une table de montage de substrat à travers un panneau de séparation ayant de nombreux trous traversants, et un plasma du gaz d'oxydation introduit dans la chambre de génération de plasma étant généré et des espèces actives ainsi créées étant introduites sur le substrat pour former une couche d'oxyde sur la surface du substrat, le panneau de séparation est couplé avec une alimentation électrique à travers un mécanisme de commutation, de telle sorte qu'une tension positive, négative ou nulle est appliquée à celui-ci, une commutation de tension est effectuée au moins une fois pendant l'oxydation et l'oxydation est effectuée pendant le changement des rapports de radicaux, des ions positifs et des ions négatifs dans les espèces actives sont introduits sur le substrat.
(JA)  酸化性ガスの導入口を有するプラズマ生成室と、排気口を有し内部に基板載置台が設けられた基板処理室と、が多数の貫通孔を有する隔壁板を介して連結され、プラズマ生成室に導入される酸化性ガスのプラズマを発生させて、生成した活性種を基板上に導き、基板表面に酸化層を形成する酸化処理方法及び処理装置において、隔壁板は正、負又はゼロの電圧が印加されるように切換機構を介して電源と連結され、酸化処理中に電圧の切換を少なくとも1回行い基板上に導かれる活性種中のラジカル、正イオン及び負イオンの割合を変えて酸化処理を行う構成としたことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)