JP2008000109 半導体装置

1. (WO2008096521) 半導体装置

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国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:		WO/2008/096521		国際出願番号:		PCT/JP2008/000109
国際公開日:		14.08.2008		国際出願日:		30.01.2008

IPC:

H01L 29/80 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)

出願人:

NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)

発明者:

OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
OTA, Kazuki; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP)

代理人:

HAYAMI, Shinji; Gotanda TG Bldg. 9F 9-2, Nishi-Gotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)

優先権情報:

2007-027898

07.02.2007

発明の名称:

(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置

要約:

(EN)Provided is a semiconductor device which sufficiently reduces on-resistance. The semiconductor device is provided with a substrate; an active layer, which is arranged on one of the main surfaces of the substrate, and is composed of a III nitride semiconductor; a source electrode arranged on the active layer; a drain electrode, which is arranged on the rear surface of the substrate and has a protruding section that protrudes toward the one main surface of the substrate; and a gate electrode, which is arranged on the active layer and positioned between the source electrode and the protruding section of the drain electrode in plane view. The protruding section of the drain electrode is electrically connected to an electron transit region in the active layer.
(FR)L'invention propose un dispositif semi-conducteur qui réduit de manière suffisante une résistance à l'état passant. Le dispositif semi-conducteur est pourvu d'un substrat; d'une couche active, qui est disposée sur une des surfaces principales du substrat et composée d'un semi-conducteur au nitrure III; d'une électrode de source disposée sur la couche active; d'une électrode de drain qui est disposée sur la surface arrière du substrat et présente une section saillante qui fait saillie vers la surface principale du substrat; et d'une électrode grille qui est agencée sur la couche active et positionnée entre l'électrode de source et la section saillante de l'électrode de drain dans une vue en plan. La section saillante de l'électrode de drain est reliée électriquement à une région de transit d'électrons dans la couche active.
(JA)　オン抵抗を充分に低減させ得る半導体装置を提供する。実施形態に係る半導体装置は、基板と、この基板の一方の主面上に設けられ、III族窒化物半導体によって構成された活性層と、この活性層上に設けられたソース電極と、当該基板の裏面上に設けられ、この基板の当該一方の主面に向かって突出した突出部を有するドレイン電極と、当該活性層上に設けられ、平面視で、ソース電極とドレイン電極の前記突出部との間に位置するゲート電極と、を備えている。ドレイン電極の上記突出部は、上記活性層中の電子走行領域と電気的に接続されている。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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