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1. (WO2008093873) ZnO系半導体素子

Pub. No.:    WO/2008/093873    International Application No.:    PCT/JP2008/051790
Publication Date: Fri Aug 08 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Tue Feb 05 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 29/47
H01L 21/338
H01L 29/22
H01L 29/778
H01L 29/812
H01L 29/861
H01L 29/872
H01L 33/00
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
NAKAHARA, Ken
中原 健
YUJI, Hiroyuki
湯地 洋行
KAWASAKI, Masashi
川崎 雅司
OHTOMO, Akira
大友 明
TSUKAZAKI, Atsushi
塚崎 敦
FUKUMURA, Tomoteru
福村 知昭
NAKANO, Masaki
中野 匡規
Inventors: NAKAHARA, Ken
中原 健
YUJI, Hiroyuki
湯地 洋行
KAWASAKI, Masashi
川崎 雅司
OHTOMO, Akira
大友 明
TSUKAZAKI, Atsushi
塚崎 敦
FUKUMURA, Tomoteru
福村 知昭
NAKANO, Masaki
中野 匡規
Title: ZnO系半導体素子
Abstract:
上述した課題を解決するために創案されたものであり、ZnO系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するZnO系半導体素子を提供する。  ZnO系半導体1上に有機物電極2が形成されており、有機物電極2の上にはAu膜3が形成されている。ZnO系半導体1の裏面には有機物電極2に対向するように、Ti膜4とAu膜5の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極2とZnO系半導体1との接合界面は、pn接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。