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1. (WO2008093759) 3-5族系化合物半導体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/093759    国際出願番号:    PCT/JP2008/051465
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 24.01.2008
IPC:
C30B 29/40 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUCHIDA, Yoshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUCHIDA, Yoshihiko; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
代理人: NAKAYAMA, Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited, 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
優先権情報:
2007-021297 31.01.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP 3-5 COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DES GROUPES 3-5
(JA) 3-5族系化合物半導体の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a group 3-5 compound semiconductor, which comprises a step wherein a group 3 raw material, a group 5 raw material, a carrier gas, and if necessary other raw materials are supplied into a furnace for growing a group 3-5 compound semiconductor on a substrate within the furnace by metal-organic vapor deposition. This method is characterized in that the group 3 raw material and the group 5 raw material are supplied into the furnace separately, and hydrogen halide is supplied into the furnace together with a carrier gas or a raw material other than the group 5 raw material.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un semi-conducteur composé des groupes 3-5. Ce procédé comprend une étape dans laquelle une matière première de groupe 3, une matière première de groupe 5, un gaz véhicule, et si nécessaire d'autres matières premières sont introduits dans un four pour faire croître un semi-conducteur composé des groupes 3-5 sur un substrat à l'intérieur du four par déposition de vapeur de métal organique. Ce procédé est caractérisé par le fait que la matière première de groupe 3 et la matière première de groupe 5 sont introduites dans le four de façon séparée, et qu'un halogénure d'hydrogène est introduit dans le four conjointement avec un gaz véhicule ou une matière première autre que la matière première de groupe 5.
(JA)本発明は、3族原料、5族原料、キャリアガス及び必要に応じて他の原料を炉内に供給し、炉内の基板上に3−5族系化合物半導体を有機金属気相成長法によって成長させる工程を含む3−5族系化合物半導体の製造方法であって、3族原料と5族原料とを独立に炉内に供給すること、ハロゲン化水素を5族原料以外の原料、又はキャリアガスと共に炉内に供給する方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)