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1. (WO2008093693) 静電容量型加速度センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2008/093693 国際出願番号: PCT/JP2008/051344
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 30.01.2008
IPC:
G01P 15/125 (2006.01) ,G01P 15/18 (2006.01) ,H01L 29/84 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
P
直線速度または角速度,加速度,減速度または衝撃の測定;運動の有無の指示;運動の方向の指示
15
加速度の測定,減速度の測定;衝撃,すなわち加速度の急激な変化,の測定
02
慣性力の利用によるもの
08
電気値または磁気値への変換を伴うもの
125
容量型ピックアップによるもの
G 物理学
01
測定;試験
P
直線速度または角速度,加速度,減速度または衝撃の測定;運動の有無の指示;運動の方向の指示
15
加速度の測定,減速度の測定;衝撃,すなわち加速度の急激な変化,の測定
18
二次元またはそれ以上の次元において測定をするもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
84
外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの
出願人:
岩崎 千里 IWASAKI, Chisato [JP/JP]; JP (UsOnly)
田村 学 TAMURA, Manabu [JP/JP]; JP (UsOnly)
宇賀 耕介 UGA, Kosuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
菅原 毅 SUGAWARA, Tsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
伊藤 卓雄 ITO, Takuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
アルプス電気株式会社 ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒1458501 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 Tokyo 1-7, Yukigaya otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501, JP (AllExceptUS)
発明者:
岩崎 千里 IWASAKI, Chisato; JP
田村 学 TAMURA, Manabu; JP
宇賀 耕介 UGA, Kosuke; JP
菅原 毅 SUGAWARA, Tsuyoshi; JP
伊藤 卓雄 ITO, Takuo; JP
代理人:
青木 宏義 AOKI, Hiroyoshi; 〒1020084 東京都千代田区二番町4番3 二番町カシュービル7F Tokyo 7F, Nibancho Cashew Bldg. 4-3, Niban-cho, Chiyoda-ku Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2007-02385002.02.2007JP
発明の名称: (EN) ELECTROSTATIC CAPACITANCE TYPE ACCELERATION SENSOR
(FR) DÉTECTEUR D'ACCÉLÉRATION DE TYPE À CAPACITÉ ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電容量型加速度センサ
要約:
(EN) An electrostatic capacitance type acceleration sensor is formed by joining one main surface of a silicon substrate (11), which is a first substrate, and a glass substrate (13), which is a second substrate. The silicon substrate (11) has three weight parts (12a, 12b, 12c) as movable electrodes for independently detecting accelerations in the X-, Y-, and Z-axis directions. The glass substrate (13) has pairs of detecting electrodes (14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f) separated predetermined distances from the weight parts (12a, 12b, 12c). A glass substrate (15), which is a third substrate, is joined to the other main surface of the silicon substrate (11) to form areas (18a, 18b, 18c) for allowing the weight parts (12a, 12b) to swing and allowing the weight part (12c) to ascend and descend.
(FR) Un détecteur d'accélération de type à capacité électrostatique est formé par liaison de la surface principale d'un premier substrat en silicium (11) et d'un second substrat en verre (13). Le substrat en silicium (11) comporte trois parties de poids (12a, 12b, 12c) en tant qu'électrodes mobiles pour détecter indépendamment des accélérations dans les directions de l'axe des X, des Y et des Z. Le substrat en verre (13) comporte des paires d'électrodes de détection (14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f) séparées par des distances prédéterminées des parties de poids (12a, 12b, 12c). Un troisième substrat en verre (15) est relié à l'autre surface principale du substrat en silicium (11) pour former des zones (18a, 18b, 18c) et permettre aux parties de poids (12a, 12b) d'osciller et à la partie de poids (12c) de monter et de descendre.
(JA)  X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の加速度をそれぞれ独立して検出するための3つの可動電極である錘部(12a,12b,12c)を有する第1基板であるシリコン製基板(11)の一方の主面と、それぞれの錘部(12a,12b,12c)に対して所定の間隔を持つそれぞれ一対の検出用電極対(14a,14b,14c,14d,14e,14f)を有する第2基板であるガラス基板(13)とが接合されて構成されており、シリコン製基板(11)の他方の主面には、錘部(12a,12b)を揺動させ、錘部(12c)を昇降させる領域(18a,18b,18c)を構成するように、第3基板であるガラス基板(15)が接合されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)